发明名称 Low-noise and power AlGaPSb/GaInAs HEMTs and pseudomorphic HEMTs on GaAs substrate
摘要
申请公布号 EP0747965(B1) 申请公布日期 2001.09.05
申请号 EP19960108616 申请日期 1996.05.30
申请人 HUGHES ELECTRONICS CORPORATION 发明人 MATLOUBIAN, MEHRAN;LIU, TAKYIU;NGUYEN, CHANH
分类号 H01L21/205;H01L21/338;H01L29/201;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/778 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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