结晶硅半导体器件及其制造方法

摘要

衬底1上形成凹凸部分,非晶硅层4形成在按点形分散设在凹凸部分的凹坑部分中的金属催化剂3上,从金属催化剂3生长有各个取向的晶相5,晶相5经连续热处理而相互聚集并形成多晶硅层6。结晶硅半导体器件及其制造方法有价格优势,能有效形成用于半导体器件的有预定厚度的多晶硅层。而且,衬底1上顺序形成按面(111)取向的多晶硅层30,Ni构成的金属催化剂40,多晶硅层50。其上形成预定厚度的非晶硅层60之后,进行热处理,Ni元素从金属催化剂层40扩散进非晶硅层60中,使非晶硅层60结晶成多晶硅层60’。

主权项

1、结晶硅半导体器件，其包括：衬底，和通过对在所述衬底上设置的非晶硅层在金属催化剂存在的条件下热处理而形成的多晶硅层。其中，所述多晶硅层由通过对所述的非晶硅层在以点形分散在所述非晶硅层的上部或下部的所述金属催化剂存在的条件下进行热处理而生长成的多晶硅层构成。