发明名称 | 薄膜形成装置,薄膜形成方法和自发光装置 | ||
摘要 | 本发明提供了一种当将用来形成EL层的涂敷液涂敷时,用于选择性地将涂敷液涂敷在所需涂敷位置的装置。当涂敷涂敷液时,在涂敷液室和基质间提供一掩模,并且将一电压施加到所述掩模上,这样涂敷液能选择性电涂敷在所需涂敷位置上。 | ||
申请公布号 | CN1311523A | 申请公布日期 | 2001.09.05 |
申请号 | CN01112372.9 | 申请日期 | 2001.02.28 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 广木正明;山崎舜平 |
分类号 | H01L21/00;H01L33/00;H05B33/10 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴大建;钟守期 |
主权项 | 1.一种薄膜形成方法,其使用包括含涂敷液的涂敷液室,装有电极的基质,涂敷液室和基质间的掩模的装置,所述方法包括步骤:在涂敷液室中形成雾化涂敷液;从涂敷液室中向基质排出雾化了的涂敷液;使涂敷液经过相对于电极的掩模的开口部分;使涂敷液到达基质的电极上;和在电极上形成薄膜。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |