发明名称 薄膜形成装置,薄膜形成方法和自发光装置
摘要 本发明提供了一种当将用来形成EL层的涂敷液涂敷时,用于选择性地将涂敷液涂敷在所需涂敷位置的装置。当涂敷涂敷液时,在涂敷液室和基质间提供一掩模,并且将一电压施加到所述掩模上,这样涂敷液能选择性电涂敷在所需涂敷位置上。
申请公布号 CN1311523A 申请公布日期 2001.09.05
申请号 CN01112372.9 申请日期 2001.02.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 广木正明;山崎舜平
分类号 H01L21/00;H01L33/00;H05B33/10 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴大建;钟守期
主权项 1.一种薄膜形成方法,其使用包括含涂敷液的涂敷液室,装有电极的基质,涂敷液室和基质间的掩模的装置,所述方法包括步骤:在涂敷液室中形成雾化涂敷液;从涂敷液室中向基质排出雾化了的涂敷液;使涂敷液经过相对于电极的掩模的开口部分;使涂敷液到达基质的电极上;和在电极上形成薄膜。
地址 日本神奈川县