| 发明名称 | 硫辛酸的晶体改性 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种对映异构纯的结晶(R)－或(S)－硫辛酸,其中,在其2θ衍射图中,它在2θ=23°处具有13°～30°区间内强度最大的反射线。 | ||
| 申请公布号 | CN1311784A | 申请公布日期 | 2001.09.05 |
| 申请号 | CN99809236.3 | 申请日期 | 1999.07.12 |
| 申请人 | BASF公司 | 发明人 | M·J·克拉特;M·尼贝尔;J·保斯特;J·里格尔 |
| 分类号 | C07D339/04;C07B57/00;A61K31/385;A23L1/30 | 主分类号 | C07D339/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温宏艳;谭明胜 |
| 主权项 | 1．一种对映异构纯的结晶R-或S-硫辛酸，其中在其2θ衍射图中，它在2θ=23°处具有15°～30°区间内强度最大的反射线。 | ||
| 地址 | 德国路德维希港 | ||