发明名称 |
用于改善后端生产线结构稳定性的混合介质结构 |
摘要 |
集成电路芯片上的一种多层共面铜镶嵌互连结构,它包括集成电路衬底上的具有被介电常数较低且弹性模量也较低的介电材料分隔的多个线路导体的第一平面互连层。第一平面互连层上的第二平面互连层包含弹性模量比第一平面互连层更高的介电膜和穿过其中的导电通孔。通孔选择性地接触到线路导体。第二平面互连层上的第三平面互连层具有被介电材料分隔并选择性地接触到通孔的多个线路导体。 |
申请公布号 |
CN1311530A |
申请公布日期 |
2001.09.05 |
申请号 |
CN01108312.3 |
申请日期 |
2001.02.27 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
查尔斯·R·戴维斯;丹尼尔·C·埃德尔斯坦;约翰·C·海;杰弗里·C·赫德里克;克里斯托弗·詹尼斯;文森特·迈克海;亨利·A·奈三世 |
分类号 |
H01L23/52 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.集成电路芯片上的一种多层共面互连结构,它包含:具有被介电常数较低且弹性模量也较低的介电材料分隔的多个互连导体的平面线路层;以及包含弹性模量比线路层更高的介电膜和穿过其中的导电通孔的平面通孔层,其中线路层和通孔层之一位于集成电路衬底上并确定第一层,而线路层和通孔层中的另一个位于第一层上,使通孔选择性地接触到线路层导体。 |
地址 |
美国纽约 |