整体晶体的生长方法

摘要

用成分与所生长晶体不同的大直径薄板状晶种１０，在晶体生长开始前，使原料溶解于溶剂中形成的溶液１２Ｓ（或原料熔体１２m）下侧的温度高于上侧温度而引起对流，将此状态保持给定时间，利用对流清洗晶种１０的表面。此后，按照Bridgeman法或梯度冷冻法开始晶体生长。此时，使晶种１０倾斜而在晶种１０的表面内形成温度梯度，使得在晶体生长开始时在其表面内温度最低的部位生成晶核，或在晶种１０表面的一个地方预先形成微小凹部或微小突起部，从而在此微小凹部或突起部生成晶核。这样，便能高产率地制造优质整体单晶。

主权项

1．用温梯法或坩埚下降法使Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体进行整体晶体生长的方法，所述生长方法是使晶种与含有所生长晶体的构成元素的熔体或熔液接触而从该熔体或熔液中生长出整体晶体的方法，其特征在于，作为所述晶种，使用其熔点比所生长晶体的生长温度高、同时其成分与所生长晶体不同、且对所述熔体或熔液的熔解度小的薄板状单晶基板。