Semiconductor memory device having circuit array structure for fast operation,申请号EP19960110335-传众专利搜索

发明名称	Semiconductor memory device having circuit array structure for fast operation
摘要
申请公布号	EP0753856(B1)	申请公布日期	2001.09.05
申请号	EP19960110335	申请日期	1996.06.27
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	YOO, JEI-HWAN;LEE, JUNG-HWA
分类号	G11C7/10;G11C11/401;G11C11/4096;H01L21/8242;H01L27/108;G11C11/41;(IPC1-7):G11C7/00	主分类号	G11C7/10
代理机构		代理人
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