| 发明名称 | DH－Ga<SUB>1－x</SUB>Al<SUB>x</SUB>AsLED液相外延材料结构优化设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体光电子材料制备领域,涉及一种对DH－Ga<SUB>1－x</SUB>Al<SUB>x</SUB>AsLED液相外延材料结构优化设计方法的改进。它包括衬底4、限定层3、发光层2、窗口层1,统一考虑发光效率和制管工艺成品率,发光效率高、液相外延工艺又能实现、还为后道制管工艺创造有利条件、保证了成品率。本发明生产的外延片结构表面光亮,凸状畸变明显变小,经超声打孔技术测量,其发光强度一般为10－12mcd/20mA,制管成品率达70%。 | ||
| 申请公布号 | CN1311536A | 申请公布日期 | 2001.09.05 |
| 申请号 | CN00103908.3 | 申请日期 | 2000.02.29 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 元金山;张富文;李向文 |
| 分类号 | H01L33/00;H05B33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人 | 梁爱荣 |
| 主权项 | 1、一种DH-Ga1-xAlxAs LED液相外延材料结构优化设计方法，它包括衬底4，其特征在于：衬底4的厚度为：300-400μm、铝Al组份为：0、载流子浓度为：1×1019cm-3；限定层3的生长厚度为：10-15μm、铝Al组份为：0.70-0.77、载流子浓度为(1-2)×1018cm-3；发光层2的生长厚度为：1.0-2.0μm、铝Al组份为：0.40-0.44、载流子浓度为：(3-7)×1017cm-3；窗口层1生长厚度为：15-25μm、铝Al组份为：0.70-0.75、载流子浓度为：(0.7-1)×1018cm-3。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市人民大街140号 | ||