| 发明名称 | 紫外短波长区域发光的InAlGaN及其制备方法和使用它的紫外发光装置 | ||
| 摘要 | 为了发射在紫外短波长区域具有360nm或者更短波长的光线,配置这样一种InAlGaN,其中In组分比例为2%至20%、Al组分比例为10%至90%,并且In、Al和Ga组分的比例总和为100%。 | ||
| 申请公布号 | CN1311284A | 申请公布日期 | 2001.09.05 |
| 申请号 | CN01112377.X | 申请日期 | 2001.02.23 |
| 申请人 | 理化学研究所 | 发明人 | 平山秀树;青柳克信 |
| 分类号 | C09K11/64;H01L33/00 | 主分类号 | C09K11/64 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周慧敏 |
| 主权项 | 1．紫外短波长区域发光的InAlGaN，包含：2％至20％比例的In组分、10％至90％比例的Al组分，并且In、Al和Ga组分的比例总和为100％。 | ||
| 地址 | 日本和光市 | ||