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1.一种用于预测电浆处理之表面轮廓的方法,其系藉决定在一处理基质上产生所要之表面轮廓而控制电浆处理序列之至少一输入变数之各别处理(程序)値,该方法包括下列之步骤:a.选择至少一输入变数之各别测试値;b.对一测试基质施予一由各别测试値界定之测试处理,藉以产生一测试表面轮廓;c.提供一以至少一输入变数及至少一未知系数来表示之初始表面轮廓;d.从初始表面轮廓模型及至少一输入变数之各别测试値产生一估计轮廓预测;e.产生在测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示;f.产生最小化差异指示之至少一未知系数之对应最佳値;g.改变初始表面轮廓模型以包含至少一最佳値,藉以提供以至少一输入变数表示之最终模型;及h.产生最终模型及所要表面轮廓之至少一输入变数之各别处理値。2.如申请专利范围第1项之方法,其中至少一未知系数包含复数个未知系数。3.如申请专利范围第1项之方法,其中至少一输入变数包含复数个输入变数,而估计轮廓预测系由初始表面轮廓及每一个输入变数之对应测试値所产生。4.如申请专利范围第1项之方法,其中测试表面轮廓包含数个即时摄影,估计轮廓预测包含对应每一个即时摄影之框,产生测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示之步骤包含一对对的比较每一个即时摄影及与对应之框。5.如申请专利范围第1项之方法,其中估计轮廓预测之产生包括使用至少一未知系数之对应之约略初始値。6.如申请专利范围第3或5项之方法,其中至少一未知系数之对应最佳値之产生包括改变至少一未知系数之至少一对应约略初始値中之至少一个,并且比较测试表面轮廓及包括至少一个改变値之估计轮廓预测。7.如申请专利范围第1项之方法,其中差异指示系由一多维非线性之最小平方技术所产生。8.一种处理基质以在其上产生所要之表面轮廓之方法,该处理包含向处理基质施予电浆处理之步骤,电浆处理系由申请专利范围第1项之方法所决定之至少一输入变数之对应处理値来界定。9.一种用于预测电浆处理之表面轮廓的方法,其系藉预测式地计算将于处理基质产生之处理基质轮廓,处理表面轮廓的产生系由至少一输入变数之对应处理値所界定电浆处理序列所形成,该方法包括下列之步骤:a.选择至少一输入变数之对应测试値,该至少一个对应测试値中之至少一个等于该至少一个对应处理値之至少一个;b.对一个测试基质施予一测试处理,此测试处理乃是由对应之测试値所界定,藉以产生一测试表面轮廓;c.以至少一输入变数及至少一未知系数来提供一初始表面轮廓;d.自初始表面轮廓模型及至少一输入变数之对应测试値产生一估计之轮廓预测;e.产生测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示;f.产生一最小化差异指示之至少一未知系数之对应最佳値;g.改变初始表面轮廓模型以包含至少一最佳値,藉此提供以至少一输入变数表示之最佳模型;及h.引导至少一输入变数之对应处理値进入最终模型;藉以形成处理表面轮廓之描述。10.如申请专利范围第9项之方法,其中至少一未知系数包含复数个未知系数。11.如申请专利范围第9项之方法,其中至少一个输入变数包含复数个输入变数,而估计轮廓预测系由初始表面轮廓模型以及复数输入变数中之每一个之对应测试値所产生。12.如申请专利范围第9项之方法,其中测试表面轮廓包含复数个即时摄影,估计轮廓描述包含一对应每一即时摄影之框,而产生测试表面轮廓及估计轮廓描述之间之差异指示包括一对对的比较每一个即时摄影与对应之框。13.如申请专利范围第9项之方法,其中估计轮廓描述之产生包含使用至少一未知系数之对应约略初始値。14.如申请专利范围第13项之方法,其中至少一未知系数之对应最佳値之产生包含改变至少一未知系数之至少一对应约略初始値中之至少一个,并且比较测试表面轮廓及含有至少一改变値之估计轮廓预测。15.如申请专利范围第9项之方法,其中差异指示系由多维非线性之最小平方技术所产生。16.如申请专利范围第9项之方法,其中至少一输入变数之对应处理値随时间变化。17.一种用于设定处理一处理基质之装置的方法,基质之处理系根据由至少一输入变数之对应处理値界定之电浆处理序列来实行,装置包括一电浆反应器,至少一输入变化包括至少一反应变数,该方法包含下列步骤:a.选择至少一输入变数之对应测试値;b.将一测试处理施予一测试基质,测试处理系由对应之测试値所界定,藉此产生一测试表面轮廓;c.提供一由至少一输入变化及至少一未知系数所表示之初始表面模型;d.自初始表面轮廓模型及至少一输入变数之对应测试値产生一估计轮廓预测;e.在测试表面轮廓及估计轮廓预测之间产生一差异指示;f.产生可最小化差异指示之至少一未知系数之对应最佳値;g.改变初始表面轮廓模型以包含至少一最佳値,藉此提供一以至少一输入变数表示之最终模型;h.自最终模型及所要之表面轮廓产生对应之处理値;及i.根据导得之至少一反应变数之对应处理値设定反应器来处理基质。18.一种用于决定至少一输入变数之对应处理値之装置,其中至少一输入变数管理一电浆处理序列用于处理基质上产生所要之表面轮廓,该装置包含:a.用于储存所要表面轮廓之电脑记忆体;b.用于储存测试表面轮廓之电脑记忆体,测试表面轮廓系由对一测试基质施予一测试处理而产生,此测试处理系由至少一输入变数之对应测试値所界定;c.用于产生初始表面轮廓模型之机构,此初始表面轮廓系由至少一输入变数及至少一未知系数来表示;d.用于自初始表面轮廓模型及至少一输入变数之对应测试値来产生估计轮廓描述之机构;e.用于产生在测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示之机构;f.用于产生可最小化差异指示之至少一未知系数之对应最佳値之机构;g.用于改变初始表面轮廓模型以包括至少一最佳値之机构,藉以提供以至少一输入变数表示之最终模型;及h.用于自最终模型及所要之表面轮廓产生至少一输入变数之对应处理値之机构。19.如申请专利范围第18项之装置,其中测试表面轮廓包含复数个即时摄影,而估计轮廓预测包括对应每一个即时摄影之框,用于产生测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示之机构被设定成用来比较每一个即时摄影及对应之框。20.如申请专利范围第18项之装置,尚包含一电脑记忆体,用于储存至少一未知系数之对应的约略初始値;一机构,用于自初始表面轮廓模型及使用对应约略初始値之至少一输入变数之对应测试値中产生一估计轮廓描述。21.如申请专利范围第20项之装置,其中用于产生至少一未知系数之对应最佳値之机构被设定成改变至少一未知系数之该至少一对应约略初始値中之至少一个,并且用来比较测试表面轮廓及含有至少一个改变値之估计轮廓预测。22.如申请专利范围第18项之装置,其中用于产生在测试表面轮廓及估计轮廓预测间之差异指示之机构使用一多维非线性之最小平方技术。23.一种用于预测性地计算一处理表面轮廓之装置,该处理表面轮廓系藉由由至少一输入变数之对应处理値界定之电浆处理序列产生于一处理基质上,该装置包含:a.一电脑记忆体,用于储存对应之处理値;b.一电脑记忆体,用于储存至少一测试表面轮廓,此测试表面轮廓系由对一测试基质施予一测试处理而产生,而测试处理则是由至少一输入变数之对应测试値来界定;c.用于产生一初始表面轮廓模型之机构,此一初始表面轮廓模型系由至少一输入变数及至少一未知系数来产生;d.用于自初始模型及至少一输入变数之对应测试値产生之一估计轮廓预测之机构;e.用于产生在测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示之机构;f.用于产生会最佳化至少一未知系数之对应最佳値之机构;g.用于改变初始表面轮廓模型以包括至少一最佳値之机构,藉此提供以至少一输入变数来表示之最终模型;及h.用于将至少一输入变数之对应处理値引入最终模型之机构,藉此形成处理表面轮廓之描述。24.如申请专利范围第23项之装置,其中测试表面轮廓包含复数个即时摄影,估计轮廓预测包括一对应每一个即时摄影之预测,而用于产生测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示之机构系设定成比较每一个即时摄影及各个对应之预测。25.如申请专利范围第23项之装置,更包含一电脑记忆体,用于储存至少一未知系数之一对应约略初始値,用于利用对应约略初始値产生一估计轮廓预测之机构。26.如申请专利范围第25项之装置,其中用于产生至少一未知系数之对应最佳値之机构被设定成用来改变至少一未知系数之该至少一对应约略初始値中之至少一个,并且比较测试表面轮廓及含有至少一改变値之估计轮廓预测。27.如申请专利范围第23项之装置,其中用于产生在测试表面轮廓及估计轮廓预测之间之差异指示之机构使用一多维非线性之最小平方技术。28.如申请专利范围第1项之方法,尚包含对处理基质施加电浆处理之步骤,而电浆处理系由至少一输入变数之对应处理来界定。图式简单说明:第一图系一流程图,显示了用于本发明之校验序列。第二图概略显示根据Langmuir模型之表面运动学。第三图概略显示用于本发明之代表性硬体环境。 |
