| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含:一具有复数电极的半导体元件;一重新分配层,其系连结半导体元件电极至位在重新分配层的预定位置的电极衬垫;复数金属柱形成于重新分配层之电极衬垫上,金属柱系配置成设置外部连结电极;至少一标记件其系作为对准标记,位在相对于金属柱之预定位置关系,其中标记件系由金属柱之相同材料制成。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中对准标记具有圆以外的外部配置。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中沿平行重新配置层表面平面测量的对准标记宽度系大于金属柱高度。4.一种半导体元件,包含:一半导体元件具有复数电极;一重新分配层,其系连结半导体元件电极至位在重新分配层之预定位置的电极衬垫;以及至少一标记件,其系作为对准标记且位在与电极垫呈预定位置关系,其中标记件系由电极垫的相同材料制成。5.如申请专利范围第4项之半导体元件,其中对准标记具有圆以外的外部配置。6.一种测试一半导体元件之方法,包含下列步骤:于晶圆状态形成一重新分配层于半导体元件上;形成金属柱于重新分配层上;相对于金属柱,于重新分配层上于预定位置形成一标记件,该标记件系作为对准标记;以及进行半导体测试同时经由辨识对准标记决定半导体元件之电极位置。7.如申请专利范围第6项之方法,其中形成标记件之步骤包括形成至少二标记件于晶圆周边之重新配置层上之步骤。8.一种测试半导体元件之方法,包含下列步骤:于晶圆状态之半导体元件上形成一重新分配层;以及藉密封树脂包囊晶圆,同时维持晶圆周边未被密封,晶圆周边系对应半导体元件形成区以外的区域。9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含形成一对准标记于晶圆周边之步骤,对准标记系用于辨识半导体元件之位置。10.一种测试半导体元件之方法,包含下列步骤:于呈晶圆状态之半导体元件上形成一重新分配层;形成一密封树脂层于重新分配层上,因而包囊半导体元件;沿划割线于密封树脂层形成切槽,该切槽伸展贯穿密封树脂层,故各切槽底部到达晶圆;对呈晶圆状态之半导体元件进行测试,同时辨识暴露于切槽底部之晶圆作为参考位置;以及经由沿划割线切割晶圆而将晶圆分成个别半导体元件。11.如申请专利范围第10项之方法,其中形成切槽之步骤包括沿选自设置于晶圆的全部划割线中之预定划割线形成切槽。12.一种经由抽取固定晶圆于真空夹头平台之方法,包含下列步骤:抽取晶圆具有最小翘曲部分,使晶圆该部分固定于真空夹头平台上;抽取晶圆之毗邻晶圆被抽取部分之部分,故晶圆毗邻被抽取部分之部分固定于真空夹头平台上;以及随后重复抽取步骤直至整个晶圆藉抽取固定于真空夹头平台为止。13.一种半导体晶圆之装置,包含:一真空夹头平台具有复数同心抽取切槽;以及抽取通道连结至抽取切槽,抽取切槽分成多组,因此各抽取通道系连结至含括于对应该组之抽取切槽,其中抽取力随后于不同顺序被导入各抽取通道。图式简单说明:第一图为根据本发明之第一具体实施例之半导体元件之平面图;第二图为根据本发明之第一具体实施例之半导体元件沿第一图线II-II所取之剖面图;第三图A为对准标记实例外廓之说明图;第三图B为第三图A所示对准标记之影像辨识结果之说明图;第四图A为对准标记另一实例外廓之说明图;第四图B为第四图A所示对准标记之影像辨识结果之说明图;第五图A及第五图B为于不同位置具有破裂部分或变形部分之方形对准标记之说明图;第五图C为第五图A及第五图B所示方形对准标记之影像辨识结果之说明图;第六图A为具有大型尺寸之圆形对准标记之外廓之说明图;第六图B为第六图A所示对准标记之影像辨识结果之说明图;第七图A为具有小型尺寸之圆形对准标记之外廓之说明图;第七图B为第七图A所示对准标记之影像辨识结果之说明图;第八图A及第八图B为方形对准标记之外廓之说明图;第八图C为第八图A及第八图B所示对准标记之影像辨识结果之说明图;第九图为尺寸略小于辨识区大小之3/4之对准标记之说明图;第十图A为大小等于辨识区大小之1/4之对准标记之说明图;第十图B为第十图A所示对准标记之影像辨识结果之说明图;第十一图为根据本发明之第二具体实施例之半导体元件之平面图;第十二图为根据本发明之第二具体实施例之半导体元件之侧视图;第十三图为根据本发明之第二具体实施例之半导体元件之变化例之平面图;第十四图为根据本发明之第三具体实施例呈晶圆状态之半导体元件之平面图;第十五图A为根据本发明之第四具体实施例,于其上形成半导体元件之晶圆之平面图;第十五图B为第十五图A所示晶圆之侧视图;第十六图为包囊第十五图A及第十五图B所示晶圆之成型模具之说明图;第十七图A为具有未密封周边之晶圆之平面图;第十七图B为第十七图A所示晶圆之侧视图;第十八图为晶圆之侧视图,该晶圆上形成半导体元件且晶圆周边暴露出;第十九图A为晶圆一实例之平面图,于晶圆上经由藉密封树脂包囊形成复数半导体元件,以及形成标记件;第十九图B为第十九图A所示晶圆之侧视图;第二十图A为根据本发明之第五具体实施例用于测试半导体元件之晶圆之平面图;第二十图B为第二十图A所示晶圆之侧视图;第二十一图A为第二十图A及第二十图B所示晶圆之变化例之平面图;第二十一图B为第二十一图A所示晶圆之侧视图;第二十二图A为用于半导体测试装置之探头卡之部分之侧视图;第二十二图B为第二十二图A所示探头卡之部分之平面图;第二十三图第二十二图A及第二十二图B所示探头卡中设置之探头之剖面图;第二十四图A为配置成可同时测试6个半导体元件之探头卡之平面图;第二十四图B为第二十四图A所示探头卡之侧视图。第二十五图为设置于半导体元件上方之探头卡之侧视图;第二十六图A为具有标记件连结焊料球之一之半导体元件之平面图;第二十六图B为第二十六图A所示半导体元件之侧视图,于该状态探头卡系与半导体元件接触;第二十七图A为具有二标记件之半导体元件之平面图,二标记件各自系连结至其中一个焊料球;第二十七图B为第二十七图A所示半导体元件之侧视图,系处于探头卡接触半导体元件之状态;第二十八图A为设置二标记件之半导体元件之平面图;第二十八图B为第二十八图A所示半导体元件之侧视图;第二十九图为设置晶圆映射起点之晶圆平面图;第三十图A为真空夹头平台之部分切除前视图,该平台具有复数抽取切槽全部皆系于抽取区上;第三十图B为第三十图A所示真空夹头平台之半面图;第三十图C为第三十图A所示真空夹头平台之侧视图;第三十一图为具有复数抽取切槽之真空夹头平台之另一实例之平面图;第三十二图A为具有多个小孔替代抽取切槽之真空夹头平台之平面图;第三十二图B为第三十二图A所示真空夹头平台之剖面图;第三十三图为形成于晶圆上之半导体元件之侧视图,其中半导体元件之一测得为有缺陷因此未提供焊料球;第三十四图为形成于晶圆上之半导体元件之侧视图,半导体元件之一被决定为有瑕疵,而瑕疵半导体元件之焊料球被轧碎;以及第三十五图为形成于晶圆上之半导体元件之侧视图,半导体元件之一被决定为有瑕疵,而瑕疵半导体元件之焊料球以绝缘材料覆盖。 |
