| 主权项 |
1.一种主动矩阵型显示装置,为使设在每一画素之电晶体施行开关(switching)动作以控制各画素之显示之主动矩阵型显示装置,包括:闸极信号线,向列方向多数配置;数据信号线,向行方向多数配置;画素电极,分别对应于前述闸极信号线以及数据信号线之交点以矩阵状配置;第一辅助电容量电极,连接于画素电极;第二辅助电容量电极,向平行于前述闸极线之方向延伸,经由绝缘膜对向于前述第一辅助电容量电极而在该部分形成辅助电容量;以及前述第一及第二辅助电容量电极具有向平行于数据线之方向沿着数据信号线延伸之突出部。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中前述第二辅助电容量电极系由不透明材料形成。3.如申请专利范围第2项之主动矩阵型显示装置,其中前述第二辅助电容量电极系由金属制成。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中前述第二辅助电容量电极之突出部之一部分系重叠于前述数据信号线之状态配置。5.如申请专利范围第4项之主动矩阵型显示装置,其中前述第二电容量电极之突出部系以不重叠于前述数据信号线之状态配置。6.如申请专利范围第5项之主动矩阵型显示装置,其中前述第一辅助电容量电极为半导体膜,该半导体膜之经由绝缘膜对向于前述闸极信号线之部分构成前述电晶体之通道区域。7.如申请专利范围第2项之主动矩阵型显示装置,其中,前述第二辅助电容量电极之突出部端部与相邻之列之闸极信号线之间之区域形成由前述数据线之粗大尺寸部分而成之遮光部,以及前述遮光部之一部分与前述闸极信号线及前述辅助电容量电极重叠。8.如申请专利范围第2项之主动矩阵型显示装置,另又具有覆盖前述数据信号线与画素电极间之遮光膜,该遮光膜系沿着前述第二辅助电极之突出部不相邻之一侧之数据信号线设置,而沿着有前述第二辅助电极之突出部之一侧之数据信号线则不设置。9.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,前述第一辅助电容量电极为半导体膜,以及该半导体膜之经由绝缘膜对向于前述闸极信号线之部分构成前述电晶体之通道区域。10.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,前述第一辅助电容量电极之突出部系以厚度方向不重叠于前述数据信号线。11.如申请专利范围第10项之主动矩阵型显示装置,前述第一辅助电容量电极为半导体膜。该半导体膜之经由绝缘膜对向于前述闸极信号线之部分构成前述电晶体之通道区域。12.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,前述第一辅助电容量电极以厚度方向重叠于数据信号线,厚度方向之半导体膜与数据信号线之间设置遮蔽膜。13.如申请专利范围第12项之主动矩阵型显示装置,前述遮蔽膜系由不透明材料形成。14.如申请专利范围第13项之主动矩阵型显示装置,前述遮蔽膜系由金属制成。15.如申请专利范围第12项之主动矩阵型显示装置,前述遮蔽膜与数据信号线之间以及前述遮蔽膜与半导体膜之间形成绝缘膜。16.如申请专利范围第12项之主动矩阵型显示装置,前述第一辅助电容量电极为半导体膜,该半导体膜之经由绝缘膜对向于前述闸极信号线之部分构成前述电晶体之通道区域。图式简单说明:第一图为以往之显示装置之俯视图。第二图为以往之显示装置之剖视图。第三图为第1实施例之显示装置之俯视图。第四图为第1实施例之显示装置之剖视图。第五图为第2实施例之显示装置之俯视图。第六图为第3实施例之显示装置之俯视图。第七图A及第七图B为第3实施例之显示装置之剖视图。第八图为第4实施例之显示装置之俯视图。第九图A及第九图B为第4实施例之显示装置之剖视图。 |
