陶瓷体之导电馈穿体及其制造方法

摘要

一种连接电流通过陶瓷体用之导电馈穿体连接器。陶瓷体通常经由堆叠多层陶瓷材料层，然后烧结堆叠层而固化各层成为整合一体的实心陶瓷体制造。根据本发明当放置各层时部分层以导电材料网印，随后将下一层置于网印层顶上。各网印区沿贯穿陶瓷体同轴对正。然后网印成堆烧结形成含多个堆叠金属电极之实心陶瓷体。然后第一导体垂直成形于陶瓷体而互连包埋的电极。由陶瓷体反侧，第二导体成形入表面通过一或多层电极而互连电极。如此于陶瓷体一侧上的第一导体与陶瓷体另一侧上的第二导体间形成导电路径。

主权项

1.一种陶瓷体(100.300)之导电馈穿体(110.302),该陶瓷体具有第一侧(50.400)及第二侧(52.402),该导电馈穿体包含:一个电极(206.310.308.316),其包埋于陶瓷体(100.300)内部;一个第一导体(208.312),其延伸入陶瓷体(100.300)之第一侧(50.400)且交叉该电极(206.310.308);及一个第二导体(214.314),其由陶瓷体(100.300)之第二侧(52.402)延伸且交叉该电极(206.308.316)。2.如申请专利范围第1项之导电馈穿体(110.302),其中该电极(206.310.308.316)包含多个平行隔开电极(2061.2062.2063.2064.2065.3101.3102.3103.308.3161.3162.3163),此处该第一导体(208.312)交叉多个电极,且该第二导体(214.314)交叉多个电极中之至少一个电极。3.如申请专利范围第1项之导电馈穿体(110.302),其中该第一导体(208.312)为导电贯穿孔(2081.2082.3121.3122)。4.如申请专利范围第2项之导电馈穿体(110.302),其中该第二导体(214.314)包含:一个搪孔(210)贯穿至少一个电极(206);及一个导电接脚(214),其具有延伸部(216)其位于搪孔(210)内及导电式固定于搪孔(210)贯穿的至少一个电极(206)。5.如申请专利范围第1项之导电馈穿体(302),其中该第一导体(312)于横向方向与第二导体(314)偏位。6.如申请专利范围第1项之导电馈穿体(110),其中该第一导体(208)系沿共通轴对正第二导体(214)。7.如申请专利范围第1项之导电馈穿体(110.302),其中该陶瓷体(100.300)为陶瓷晶圆支撑基座。8.一种陶瓷体(100.300)之导电馈穿体(110.302),其中该陶瓷体具有第一侧(50.400)及第二侧(52.402),该导电馈穿体包含:第一多数平行隔开电极(2061.2062.2063.2064.2065.3101.3102.3103)包埋于陶瓷体(100.300)内部;第一导体(208.312)延伸入陶瓷体(100.300)之第一侧(50.400)及互连多个电极(2061.2062.2063.2064.2065.3101.3102.3103);第二多数平行隔开电极(3161.3162.3163)包埋于陶瓷体(100.300)内部;第二导体(214.314)由陶瓷体(100.300)之第二侧(52.402)延伸且交叉第二多数电极中之至少一个电极;及一条导电路径(308)包埋于陶瓷体(100.300)内部,其具有第一端交叉第一导体(208.312)及第二端交叉第二导体(214.314)。9.如申请专利范围第8项之导电馈穿体(110.302),其中该第一导体(208.312)为导电贯穿孔(2081.2082.3121.3122)。10.申请专利范围第8项之导电馈穿体(110.302),其中该第二导体(214.314)包含:一个搪孔(210)贯穿电极(2061....2065.3161.3162.3163)中之至少一个电极;及一个导电接脚(214),其具有延伸部(216)其位于搪孔(210)内及导电固定于搪孔(210)贯穿之该至少一个电极。11.申请专利范围第8项之导电馈穿体(302),其中该第一导体(312)系与第二导体(314)沿横向方向偏位及导电路径(308)分别交叉第一及第二导体(312及314)。12.申请专利范围第8项之导电馈穿体(110.302),其中该陶瓷体(100.300)为陶瓷晶圆支撑基座。13.一种对含多层陶瓷材料(2041.2042....2048)之陶瓷体(100.300)制造陶瓷馈穿体(110.302)之方法,该包含下列步骤:提供多层陶瓷材料(2041.2042....2048),此处于选定数目之该等层顶上网印沉积一个电极(206.308.310.316);烧结多层(2041.2042....2048)而固化陶瓷材料及形成陶瓷体(100.300);将第一导体(208.312)成形入陶瓷体(100.300)之第一侧(50.400),此处第一导体(208.312)交叉电极(206.310.308);及将第二导体(214.314)成形入陶瓷体(100.300)至第二侧(52.402),此处第二导体(214.314)交叉电极(206.308.316)。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该形成第一导体(208.312)之步骤又包含下列步骤:搪孔入陶瓷体(100.300)之第一侧(50.400)而交叉电极(206.310.308);沉积导电材料入孔内而形成介于全部电极间之电连接。15.如申请专利范围第14项之方法,其又包含重叠陶瓷体(100.300)之第一侧(50.400)表面(104)而暴露出孔内导电材料之步骤。16.如申请专利范围第13项之方法,其中该形成第二导体(214.314)之步骤又包含下列步骤:搪孔入陶瓷体(100.300)之第二侧(52.402),该孔交叉电极(206.308.316)及将导电接脚(214.324)插入孔内。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一导体(312)与第二导体(314)呈横向偏位。图式简单说明:第一图为本发明之陶瓷晶圆支撑基座之顶视图;第二图为陶瓷晶圆支撑基座沿第一图线2-2所取部分剖面图;第三图为本发明之另一具体例之陶瓷晶圆支撑基座之顶视图;及第四图为第三图之陶瓷晶圆支撑基座沿线4-4所取部分剖面图。