发明名称 改良式多模光纤之制造方法及其制造之光纤
摘要 本发明之高带宽氧化矽基多模光纤之制造方法包含提供非圆形之预成型及抽出旋向性结构之光纤自该预成型,该非圆形预成型可在至少部分之崩解期间藉维持该管状预成型的内部于降低之压力下而产生非圆形芯线及包属未完成,亦可藉去除(例如藉研磨或电浆蚀刻)适当部分之预成型而产生非圆形芯线及包层未完成,在后者之情况中,光纤系抽引于相当高的温度处使得由于表面张力,该包层呈现实质圆形之形状而该芯线呈现非圆形之形状,该旋向性结构系以任何适当方式而给与于光纤上,例如在光纤抽引期间藉交互地顺时针及逆时针地相对于该预成型来扭转该光纤。
申请公布号 TW452662 申请公布日期 2001.09.01
申请号 TW089123747 申请日期 2000.11.10
申请人 鲁森工业技术股份有限公司 发明人 大卫 狄佐凡尼;史帝芬 葛罗威契;辛 琼斯;威廉 瑞得
分类号 G02B6/02 主分类号 G02B6/02
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种氧化矽基多模光纤之制造方法,该光纤具有芯线及接触性地包围该芯线之包层,该芯线具有径向变化之折射率,该方法包含下列步骤:a)提供氧化矽基光纤预成型;以及b)从该预成型抽出该光纤;其特征为:c)步骤a)包含成形至少一部分之该预成型为非圆形构成;以及d)步骤b)包含从至少该部分之预成型抽出光纤使得该光纤之芯线具有非圆形之横截面,及使得旋向性结构利用在该光纤上,藉此,该多模光纤具有高的带宽。2.如申请专利范围第1项之方法,其中成形该预成型包含在从至少一部分之预成型崩解期间施加降低之压力于该预成型之内部,使得在该崩解之预成型中至少一部分芯线为非圆形。3.如申请专利范围第1项之方法,其中成形该预成型包含从该崩解之预成型的外部去除材料,使得该崩解之预成型具有圆形芯线及非圆形包层。4.如申请专利范围第2项之方法,其中成形该预成型包含从该崩解之预成型的外部去除材料,使得该崩解之预成型具有圆形芯线及非圆形包层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中利用旋向性结构在该光纤上包含当该光纤抽出自该预成型时,交互顺时针及逆时针地扭转该光纤。6.如申请专利范围第1项之方法,其中重复长度系与该旋向性结构相结合,该重复长度为10公分或更小。7.一种包含一长度之氧化矽基多模光纤之物品,该光纤包含芯线及接触性地包围该芯线之包层,其特征为:至少一部分该芯线具有非圆形横截面,以及该光纤具有旋向性结构,该旋向性结构具有10公分或更小的重复长度。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该物品为光纤通信系统,该光纤通信系统包含发射器,接收器,及信号传输性地连接该发射器与该接收器之氧化矽基多模光纤。图式简单说明:第一图概略地描绘典型的抛物线折射率轮廓;第二图概略地显示指示径向,方位角及纵向坐标之一部分MM预成型(或MM光纤);第三图概略地显示具有非圆形芯线及包层之典型的MM预成型(或MM光纤);第四图A概略地显示典型成型之MM预成型;以及第四图B概略地显示在相当高温度抽出自该成型之预成型的MM光纤;第五图概略描绘包含根据本发明MM光纤之典型的光纤通信系统;第六图至第九图显示脉波振幅为时间之函数,以用于不同之偏移,用于在不同条件下所制造之多模光纤,具有及不具有真空崩解,以及具有及不具有扭转;第十图至第十三图显示脉波中心差动模态色散及脉波宽度为横向偏移之函数,以分别地用于第六图至第九图之多模光纤;以及第十四图概略地描绘根据本发明光纤之进一步典型的实施例。
地址 美国