| 主权项 |
1.一种光二极体互补式金氧半感测器的制造方法,其二极体感测区的形成方法至少包括:提供一第一型基底,该基底具有一隔离区及一主动区;于该隔离区下形成一通道阻绝区域;形成一第一罩幕层于该基底上;以该第一罩幕层为罩幕,进行一第一型离子植入;将该第一罩幕层移除,并进行热趋入,以形成复数个具有第一深度之第一型离子植入区域;形成一第二罩幕层于该基底上,该第二罩幕层履盖于该第一型离子植入区域上;以该第二罩幕层为罩幕,进行一第二型离子植入;以及将该第二罩幕层移除,并进行热趋入,以形成一具有第二深度及第三深度之第二型离子植入区域。2.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第一型离子系为P型。3.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二型离子系为N型。4.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该通道阻绝区域的位置涵盖部分该隔离区,并未延伸至邻近该主动区之该隔离区下方。5.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该通道阻绝区域之离子植入浓度界于11016ions/cm3至51017ions/cm3之间。6.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该些第一型离子植入区域,靠近该隔离区的该些第一型离子植入区域为紧连着该隔离区。7.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该些第一型离子植入区域之离子植入浓度界于11019ions/cm3至81019ions/cm3之间。8.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二型离子植入区域之离子植入浓度界于61015ions/cm3至81017ions/cm3之间。9.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第三深度较第一深度深。10.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二深度界于该第一深度与该第二深度之间。11.如申请专利范围第1项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二深度系为该第二型离子植入步骤,所植入之离子之横向扩散而形成。12.一种光二极体互补式金氧半感测器的制造方法,其二极体感测区的形成方法至少包括:提供一第一型基底,该基底具有一隔离区及一主动区;于该隔离区下形成一通道阻绝区域;进行一第一型离子植入,并进行热趋入,以形成复数个具有第一深度之第一型离子植入区域;于该第一型离子植入区域外,进行一第二型离子植入,并进行热趋入,以形成一第二型离子植入区域。13.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第一型离子系为P型。14.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二型离子系为N型。15.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该通道阻绝区域的位置涵盖部分该隔离区,并未延伸至邻近该主动区之该隔离区下方。16.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该通道阻绝区域之离子植入浓度界于11016ions/cm3至51017ions/cm3之间。17.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该些第一型离子植入区域,靠近该隔离区的该些第一型离子植入区域为紧连着该隔离区。18.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该些第一型离子植入区域之离子植入浓度界于11019ions/cm3至81019ions/cm3之间。19.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二型离子植入区域之离子植入浓度界于61015ions/cm3至81017ions/cm3之间。20.如申请专利范围第12项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二型离子植入区域具有:一第二深度;以及一第三深度。21.如申请专利范围第20项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二深度系为该第二型离子植入步骤,所植入之离子之横向扩散而形成。22.如申请专利范围第20项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第三深度较第一深度深。23.如申请专利范围第20项所述之光二极体互补式金氧半感测器之制造方法,其中该第二深度界于该第一深度与该第二深度之间。图式简单说明:第一图至第二图绘示为习知光二极体互补式金氧半感测器之制造方法。第三图至第七图绘制为本发明中一较佳实施例的光二极体互补式金氧半感测器之制造流程剖面图。 |
