发明名称 钌和锇化合物之制法
摘要 本发明提出一种制备下式(式I)化合物之方法:LvyM(CO)z其中M系为Ru或Os,L个别系为中性配位体,y=l-4,且z=l-5。此等方法包括Ru3(CO)12或 Os(CO)12与中性配位体于大气压下之沸点高于苯之溶剂系统中反应。
申请公布号 TW452603 申请公布日期 2001.09.01
申请号 TW088113757 申请日期 1999.08.11
申请人 麦肯科技有限公司 发明人 史蒂芬.欧伦布洛克;布莱恩.瓦特史崔
分类号 C23C16/18 主分类号 C23C16/18
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种制备下式化合物之方法:LyM(CO)z其中M系为Ru或Os,L个别系为中性配位体,y=1-4,且z=1-5,该方法包括Ru3(CO)12或Os(CO)12与中性配位体于在大气压下之沸点高于苯之溶剂系统中反应。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶剂系统系仅包含一种溶剂。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶剂系统系仅包含两种或多种溶剂。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶剂系统系包含一溶剂,选自饱和或不饱和之烃类、芳族烃类、卤化烃类、经甲矽烷基化之烃类、烷基矽酸盐、醚类、聚醚类、硫醚类、酯类、内酯类、醯胺类、胺类、聚胺类、类、氰酸醯类、异氰酸酯类、硫代氰酸酯类、聚矽氧油、醛类、酮类、二酮类、羧酸类、醇类、硫醇类及其一或多种之混合物。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该溶剂系统系包含至少一种选自甲苯、二甲苯、经取代之苯、庚烷、辛烷、壬烷、及其组合物之溶剂。6.如申请专利范围第1项之方法,其中式I错合物之制备量系高于90百分比。7.如申请专利范围第6项之方法,其中式I错合物之制备量系高于95百分比。8.如申请专利范围第7项之方法,其中式I错合物之制备量系高于99百分比。9.如申请专利范围第1项之方法,其中式I错合物之制备量系高于约90百分比,而时间不多于36小时。10.如申请专利范围第9项之方法,其中式I错合物之制备量系高于90百分比,而时间不多于24小时。11.如申请专利范围第1项之方法,其中各L系个别选自膦、亚磷酸酯、胺类、胂类、锑烷类、醚类、硫醚类、类、异类、硫羰基类、单烯类、二烯类、三烯类、二环烯类、二环二烯类、二环三烯类、三环烯类、三环二烯类、三环三烯类、及炔类。12.如申请专利范围第11项之方法,其中L系选自直链、分枝链、或环状二烯类、二环二烯类、三环二烯类、及其组合物。13.一种制备下式化合物之方法:LyM(CO)z其中M系为Ru或Os,L个别系为中性配位体,y=1-4,且z=1-5,该方法包括Ru3(CO)12或Os(CO)12与中性配位体于大气压下之沸点高于苯之溶剂系统中反应;其中该溶剂系统可包括至少一种溶剂选自甲苯、二甲苯、经取代之苯、庚烷、辛烷、壬烷、及其组合物之溶剂;另外其中式I错合物之制备量系高于90百分比。14.一种制备下式化合物之方法:LyM(CO)z其中M系为Ru或Os,L个别系为中性配位体,y=1-4,且z=1-5,该方法包括Ru3(CO)12或Os(CO)12与中性配位体于大气压下之沸点高于苯之溶剂系统中反应;其中该溶剂系统可包括至少一种溶剂选自甲苯、二甲苯、经取代之苯、庚烷、辛烷、壬烷、及其组合物之溶剂;另外其中式I错合物之制备量系高于90百分比,而时间不多于36小时。15.一种制备下式化合物之方法:LyM(CO)z其中M系为Ru或Os,L个别系为中性配位体,y=1-4,z=1-5,该方法包括Ru3(CO)12或Os(CO)12与中性配位体于大气压下之沸点高于苯之溶剂系统中反应;其中式I错合物之制备量系高于95百分比,而时间不多于24小时。
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