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1.一种用于形成快闪记忆体中之高压装置的方法, 包括下列步骤: (1)在一半导体基板中的周边电路区低压装置与高 压装置分别完成薄闸极氧化物电晶体及厚闸极氧 化物电晶体的闸极部份; (2)为该周边电路区低压装置的电晶体形成轻掺质 区及口袋; (3)制作闸极边衬;以及 (4)以离子植入法形成周边电路区低压装置与高压 装置的电晶体之源极/汲极区,其中以每一个源极/ 汲极区系同时植入至少二种不同扩散系数的相同 型态掺质。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该 步骤(4)植入该周边电路区的NMOS电晶体之源极/汲 极区的至少二种不同扩散系数的N型掺质包括砷及 磷。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该掺质砷 及磷的浓度分别为1015原子/平方公分及1013-1014原 子/平方公分。4.如申请专利范围第2项之方法,其 中该掺质砷及磷的植入能量为40-60Kev。5.如申请专 利范围第1项之方法,其中该步骤(4)植入该周边电 路区的PMOS电晶体之源极/汲极区的至少二种不同 扩散系数的P型掺质包括硼及氟化硼。6.如申请专 利范围第5项之方法,其中该掺质氟化硼及硼的浓 度分别为1015原子/平方公分及1013-1014原子/平方公 分。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该掺质硼 及氟化硼的植入能量为20-50Kev。8.如申请专利范围 第1项之方法,更包括将该周边电路区的低压装置 与高压装置的电晶体进行退火之步骤。9.如申请 专利范围第8项之方法,其中该退火之步骤系在温 度约为800-850℃中进行。10.一种用于形成快闪记忆 体中之高压装置的方法,其特征在于:在同一道罩 幕制程中利用离子植入法为该快闪记忆体之周边 电路区的电晶体形成源极/汲极区,其中每一个源 极/汲极区系同时植入至少二种不同扩散系数的相 同形态掺质。11.如申请专利范围第10项之方法,其 中该植入周边电路区的NMOS电晶体之源极/汲极区 的至少二种不同扩散系数的N型掺质包括砷及磷。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该掺质砷及 磷的浓度分别为1015原子/平方公分及1013-1014原子/ 平方公分。13.如申请专利范围第11项之方法,其中 该掺质砷及磷的植入能量为40-60Kev。14.如申请专 利范围第10项之方法,其中植入该周边电路区的PMOS 电晶体之源极/汲极区的至少二种不同扩散系数的 P型掺质包括硼及氟化硼。15.如申请专利范围第14 项之方法,其中该掺质硼及氟化硼的浓度分别为 1015原子/平方公分及1013-1014原子/平方公分。16.如 申请专利范围第14项之方法,其中该掺质硼及氟化 硼的植入能量为20-50Kev。17.如申请专利范围第10项 之方法,更包括将该周边电路区的电晶体进行退火 之步骤。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该 退火之步骤系在温度约为800-850℃中进行。19.一种 用于形成快闪记忆体中之高压装置的方法,其特征 在于:在为该快闪记忆体之周边电路区的电晶体形 成源极/汲极时,每一源极/汲极区植入至少二种不 同扩散系数的相同型态掺质,俾使该周边电路区中 的电晶体之汲极/源极与通道间形成浓度递减的层 次区,以提高该周边电路区的高压装置的崩溃电压 并改善低压装置的短通道效应。20.如申请专利范 围第19项之方法,其中植入该周边电路区的NMOS电晶 体之源极/汲极区的少二种不同扩散系数的N型掺 质包括砷及磷。21.如申请专利范围第20项之方法, 其中该掺质砷及磷的浓度分别为1015原子/平方公 分及1013-1014原子/平方公分。22.如申请专利范围第 20项之方法,其中该掺质砷及磷的植入能量为40-60 Kev。23.如申请专利范围第20项之方法,其中植入该 周边电路区的PMOS电晶体之源极/汲极区的至少二 种不同扩散系数的P型掺质包括硼及氟化硼。24.如 申请专利范围第23项之方法,其中该掺质氟化硼及 硼的浓度分别为1015原子/平方公分及1013-1014原子/ 平方公分。25.如申请专利范围第23项之方法,其中 该掺质氟化硼及硼的植入能量为20-50Kev。26.如申 请专利范围第19项之方法,更包括将该周边电路区 的电晶体进行退火之步骤。27.如申请专利范围第 26项之方法,其中该退火之步骤系在温度约为800-850 ℃中进行。图式简单说明: 第一图a至第一图h系表示根据习知技艺制造快闪 记忆体中之高压装置与低压装置的方法的横截面 图;以及 第二图a至第二图g系表示根据本发明之一实施例 制造快闪记忆体中之高压装置与低压装置的方法 的横截面图。 |
