| 主权项 |
1.一种从具有机介电膜涂层之半导体晶圆表面上 移除残留粒子之方法,其包括之清洁步骤为(i)对该 晶圆表面施加机械或摩擦搅动,而同时对该晶圆表 面施用具有pH値大于10之水溶液,历经足以润湿及 清洁该晶圆表面之时间,该水溶液包含0.01至5重量% 之氢氧化四烷基四级铵。2.如申请专利范围第1项 之方法,其中水溶液进一步包含约1ppm至10,000ppm之 界面活性剂。3.如申请专利范围第1项之方法,其中 系进行清洁步骤,作为化学-机械平面化后清洁制 程之一部份。4.如申请专利范围第3项之方法,其中 在氢氧化四级铵化合物中之烷基,系被无机部份取 代。5.如申请专利范围第3项之方法,其中氢氧化四 级铵化合物之特征为下式 其中R1,R2,R3及R4各独立为含有1至10个碳原子之烷基 。6.如申请专利范围第5项之方法,其中氢氧化四级 铵系选自包括氢氧化三甲基-1-羟乙基铵、氢氧化 四甲基铵(TMAH)、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基 铵及氢氧化四丁基铵。7.如申请专利范围第5项之 方法,其中各R基团为甲基,且氢氧化四级铵为氢氧 化四甲基铵。8.如申请专利范围第5项之方法,其中 氢氧化四级铵系以低于3重量%之浓度含量存在。9. 如申请专利范围第5项之方法,其中欲被处理之半 导体晶圆,含有低介电聚(次芳基醚)薄膜。10.如 申请专利范围第5项之方法,其中界面活性剂为氟 基界面活性剂。11.如申请专利范围第10项之方法, 其中氟基界面活性剂为具有下式之寡聚物: CF3(CF2)n---SO2--N(C2H5)-(CH2)-COO-A+ 其中n=1-10。12.如申请专利范围第3项之方法,其中 系以磨光半导体晶圆表面之形式,施加摩擦搅动。 13.如申请专利范围第3项之方法,其中系以刷子洗 除半导体晶圆之形式,施加机械搅动。14.如申请专 利范围第3项之方法,其中系以音波振动半导体晶 圆表面之形式,施加机械搅动。15.一种在化学-机 械平面化后从具有聚(次芳基醚)介电膜涂层之半 导体晶圆表面上移除残留粒子之方法,其包括之清 洁步骤为:(i)对该晶圆表面施加机械或摩擦搅动, 而同时对该晶圆表面施用具有pH値大于10之水溶液 ,历经足以润湿及清洁该晶圆表面之时间,该水溶 液包含约1.00至10,000ppm之界面活性剂,及1至5重量% 之氢氧化四烷基四级铵化合物,其特征为下式: 其中R1,R2,R3及R4各独立为含有1至10个碳原子之烷基 。16.如申请专利范围第15项之方法,其中氢氧化四 级铵系选自包括氢氧化二甲基-1-羟乙基铵、氢氧 化四甲基铵(TMAH)、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙 基铵及氢氧化四丁基铵。17.如申请专利范围第15 项之方法,其中各R基团为甲基,且氢氧化四级铵为 氢氧化四甲基铵。18.如申请专利范围第13项之方 法,其中氢氧化四级铵系以低于3重量%之含量存在 。19.如申请专利范围第15项之方法,其中界面活性 剂为具有下式之氟碳寡聚物: CF3(CF2)n---SO2--N(C2H5)-(CH2)-COO-A+ 其中n=1-10。20.如申请专利范围第14项之方法,其中 系以刷子洗除半导体晶圆之形式,施加机械搅动。 图式简单说明: 第一图为一部份经简化之晶圆抛光器或化学-机械 平面化器之顶部视图;与 第二图为第一图晶圆抛光器之侧视图。 |
