| 主权项 |
1.一种晶舟之结构,适用于一垂直式低压化学气相 沉积炉管,用以固定复数晶个晶片,该晶舟包括一 柱状主体,该柱状主体区分为一第一部份与一第二 部分,其中该第一部份之该柱状主体的内壁具有复 数个第一晶片固定架,该些第一晶片固定架之间具 有一第一间距,该第二部分之柱状主体的内壁具有 复数个第二晶片固定架,该些第二晶片固定架之间 具有一第二间距,且该第二间距小于该第一间距。 2.如申请专利范围第1项所述之晶舟之结构,其中该 些第一、该第二晶片固定架系用以固定12寸之晶 片。3.如申请专利范围第2项所述之晶舟之结构,其 中该第一间距为7.5mm。4.如申请专利范围第2项所 述之晶舟之结构,其中该第二间距为5mm-6mm。5.如申 请专利范围第1项所述之晶舟之结构,其中该些第 一晶片固定架占该些第一与该些第二晶片固定架 的比例为60%。6.如申请专利范围第1项所述之晶舟 之结构,其中该些第一晶片固定架占该些第一与该 些第二晶片固定架的比例不大于70%。7.如申请专 利范围第1项所述之晶舟之结构,其中该些第二晶 片固定架占该些第一与该些第二晶片固定架的比 例为40%。8.如申请专利范围第1项所述之晶舟之结 构,其中该些第二晶片固定架占该些第一与该些第 二晶片固定架的比例不少于30%。9.一种晶舟之结 构,适用于一垂直式低压化学气相,沉积炉管,该晶 舟包括一柱状主体,该柱状主体区分为一第一部分 、一第二部分与一第三部份,其中该第一部份之该 柱状主体的内壁具有复数个第一晶片固定架,该些 第一复数个晶片固定架之间具有一第一间距,该第 二部分之柱状主体的内壁具有复数个第二晶片固 定架,该些第二晶片固定架之间具有一第二间距, 该第三部分之柱状主体的内壁具有复数个第三晶 片固定架,该些第三晶片固定架之间具有一第三间 距,且该第一间距大于该第二间距,该第二间距大 于该第三间距。10.如申请专利范围第9项所述之晶 舟之结构,其中该些第一、该第二与该第三晶片固 定架系用以固定12寸之晶片。11.如申请专利范围 第10项所述之晶舟之结构,其中该第一间距为7.5mm 。12.如申请专利范围第10项所述之晶舟之结构,其 中该第二间距为6mm-7mm。13.如申请专利范围第10项 所述之晶舟之结构,其中该第二间距为5mm-6mm。14. 如申请专利范围第9项所述之晶舟之结构,其中该 些第一晶片固定架占该些第一、该些第二与该些 第三晶片固定架的比例为44%。15.如申请专利范围 第9项所述之晶舟之结构,其中该些第一晶片固定 架占该些第一、该些第二与该些第三晶片固定架 的比例不大于50%。16.如申请专利范围第9项所述之 晶舟之结构,其中该些第二晶片固定架占该些第一 、该些第二与该些第三晶片固定架的比例为20%-30% 。17.如申请专利范围第9项所述之晶舟之结构,其 中该些第三晶片固定架占该些第一、该些第二与 该些第三晶片固定架的比例为28%。18.如申请专利 范围第9项所述之晶舟之结构,其中该些第三晶片 固定架占该些第一、该些第二与该些第三晶片固 定架的比例不少于25%。19.一种垂直式低压化学气 相沉积炉管,包括: 一石英管,用以作为一反应室; 一晶舟,配置于该石英管之中,用以固定复数个晶 片,该晶舟包括一柱状主体,该柱状主体由其顶端 至底端区分为一第一部份与一第二部分,其中该第 一部份之该柱状主体的内壁具有复数个第一晶片 固定架,该些第一复数个晶片固定架之间具有一第 一间距,该第二部分之柱状主体的内壁具有复数个 第二晶片固定架,该些第二晶片固定架之间具有一 第二间距,且该第一间距大于该第二间距; 一加热装置,配置于该石英管之外壁外围,用以加 热该石英管;以及 一气体注入器,用以将一反应气体自该石英管之底 端。20.如申请专利范围第19项所述之垂直式低压 化学气相沉积炉管,其中该些第一、该第二晶片固 定架系用以固定12寸之晶片。21.如申请专利范围 第20项所述之垂直式低压化学气相沉积炉管,其中 该第一间距为7.5mm。22.如申请专利范围第20项所述 之垂直式低压化学气相沉积炉管,其中该第二间距 为5mm-6mm。23.如申请专利范围第19项所述之垂直式 低压化学气相沉积炉管,其中该些第一晶片固定架 估该些第一与该些第二晶片固定架的比例为60%。 24.如申请专利范围第19项所述之垂直式低压化学 气相沉积炉管,其中该些第一晶片固定架占该些第 一与该些第二晶片固定架的比例不大于70%。25.如 申请专利范围第19项所述之垂直式低压化学气相 沉积炉管,其中该些第二晶片固定架占该些第一与 该些第二晶片固定架的比例为40%。26.如申请专利 范围第19项所述之垂直式低压化学气相沉积炉管, 其中该些第二晶片固定架占该些第一与该些第二 晶片固定架的比例不少于30%。图式简单说明: 第一图系绘示依照本发明实施例之一种适用于低 压化学气相沉积炉管之晶舟的剖面示意图; 第二图系绘示依照本发明实施例之一种低压化学 气相沉积炉管之剖面示意图;以及 第三图系绘示依照本发明实施例之另一种适用于 低压化学气相沉积炉管之晶舟的剖面示意图。 |
