高纯度钌溅镀靶之制造方法及高纯度钌溅镀靶

摘要

〔课题〕提供一种高纯度钌溅镀靶，适于半导体薄膜形成用等用途，不纯物的含量低，特别是能减少粒子的产生。〔解决手段〕在氢氧化钠溶液中投入粗钌粉，边吹入氯气或吹入氯气后，吹入含臭氧气体以生成四氧化钌后，用盐酸溶液或盐酸和氯化铵的混合溶液来吸收该四氧化钌，蒸发、乾燥固化该溶液，将所得的钌盐在氢周围气氛中焙烧而得出高纯度钌粉，再将该钌粉热压成靶，藉此以制造出高纯度钌溅镀靶。所得的靶中之碳、氧、氯等各元素的含量为100ppm以下。

主权项

1.一种高纯度钌溅镀靶之制造方法,其特征在于:在 氢氧化钠溶液中投入粗钌粉,边吹入氯气或吹入氯 气后,吹入含臭氧气体以生成四氧化钌后,用盐酸 溶液或盐酸和氯化铵的混合溶液来吸收该四氧化 钌,蒸发、乾燥固化该溶液,将所得的钌盐在氢周 围气氛中焙烧而得出高纯度钌粉,再将该钌粉热压 成靶。2.一种高纯度钌溅镀靶之制造方法,其特征 在于:在氢氧化钠溶液中投入粗钌粉,边吹入氯气 或吹入氯气后,吹入含臭氧气体以生成四氧化钌后 ,用盐酸溶液或盐酸和氯化铵的混合溶液来吸收该 四氧化钌,蒸发、乾燥固化该溶液,将所得的钌盐 在氢周围气氛中焙烧而得出高纯度钌粉,再将该钉 粉藉EB溶解以形成靶。3.一种高纯度钌溅镀靶,其 特征为碳、氧、氯等各元素的含量为100ppm以下。4 .如申请专利范围第3项之高纯度钌溅镀靶,其中除 去气体成分的钌纯度为 99.995%以上。