发明名称 固体电解质电容器及其制造方法
摘要 本发明系有关具有可确实地进行阳极部与阴极部绝缘之遮蔽构造之固体电解质电容器及其制造方法,及在固体电解质电容器基板涂布遮蔽材之方法与装置。依据本发明,遮蔽材充分包皮具有阀作用之金属材料上之介电质膜皮,且具充分浸透至有阀作用之金属之质地金属,因固体电解质由遮蔽材确实地遮蔽所以漏泄电流变少,于是可制造回焊处理时等所发生之应力已缓和之固体电解质电容器。
申请公布号 TW452809 申请公布日期 2001.09.01
申请号 TW089108208 申请日期 2000.04.29
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 井厚;门田隆二;仁藤洋;冈部俊博;古田雄司;大英树;白根浩朗
分类号 H01G9/00;H01G13/00 主分类号 H01G9/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种固体电解质电容器之制造方法,其系具有介 电质膜皮,在具有阀作用之金属材料上之所需位置 形成固体电解质所成之固体电解质电容器之制造 方法,其特征为; 具有浸透于上述介电质膜皮中并且在上述浸透部 上涂布形成遮蔽层之遮蔽材溶液之制程。2.一种 固体电解质电容器之制造方法,其系具有介电质膜 皮,在具有阀作用之金属材料上之所需位置形成固 体电解质所成之因体电解质电容器之制造方法,其 特征为; 具有浸透于上述介电质膜皮中并且在上述浸透部 上涂布形成遮蔽层之遮蔽材溶液之制程,于上述涂 布制程浸透固化于介电质膜皮中之遮蔽树脂,为阻 止于后制程所形成之固体电解质之入浸。3.如申 请专利范围第2项之固体电解质电容器之制造方法 ,其中于由上述遮蔽材溶液涂布制程之介电质膜皮 之遮蔽树脂浸透部之固体电解质浓度,为由电子线 微分析仪之检测界限値以下。4.如申请专利范围 第1项至第3项之任一项之固体电解质电容器之制 造方法,其中在金属制导件一端将固体电解质电容 器用基板固定成长方形,边移动上述金属制导件, 在上述基板之所需处所将圆盘状之回转辊轮以既 定押压力接触,将从遮蔽材溶液供给手段供给于回 转辊轮涂布面之遮蔽材溶液涂布于上述固体电解 质电容器用基板之所需处所之两面及两侧面以形 成遮蔽层。5.如申请专利范围第4项之固体电解质 电容器之制造方法,其中反转金属制导件与回转辊 轮之相对性相关位置对于固定在金属制导件之基 板两面及两侧面涂布遮蔽材溶液。6.如申请专利 范围第1项之固体电解质电容器之制造方法,其中 具有介电质膜皮,于被裁断为既定形状具有阀作用 之金属材料上之所需位置,形成固体电解质所成之 固体电解质电容器之制造方法,具有在上述金属材 料上涂布遮蔽材溶液以形成第一遮蔽层之制程与 形成第二遮蔽层之制程,至少由第二遮蔽层形成制 程浸透于上述介电质膜皮中并且在上述浸透部上 形成遮蔽层。7.如申请专利范围第6项之固体电解 质电容器之制造方法,其中具有介电质膜皮,于被 裁断为既定形状具有阀作用之金属材料上之所需 位置,形成固体电解质所成之固体电解质电容器之 制造方法,备有:在上述金属材料上成为施加合成 处理之边界领域全周将遮蔽材溶液涂布成线状,进 行加热以形成第一遮蔽层之制程, 将形成于由具有上述金属材料之第一遮蔽层之领 域所区隔之固体电解质加以合成处理之制程, 与上述第一遮蔽层隔开既定间隔,在上述合成处理 之金属材料上之领域全周将遮蔽材溶液涂布成线 状,进行加热以形成第二遮蔽层之制程, 上述合成处理之领域中,在除了上述第一遮蔽层与 第二遮蔽层间之领域形成固体电解质之制程,及 在上述第一遮蔽层与第二遮蔽层间之领域切断上 述金属材料之制程。8.如申请专利范围第1.2.3.6.7 项之任一项之固体电解质电容器之制造方法,其中 作为遮蔽材溶液,使用耐热性树脂或其前体之溶液 。9.如申请专利范围第8项之固体电解质电容器之 制造方法,其中上述耐热性树脂或其前体之溶液, 为由加热而固化之低分子量之聚硫亚胺溶液或聚 胺酸溶液。10.如申请专利范围第8项之固体电解质 电容器之制造方法,其中上述遮蔽材溶液为再含有 矽油,矽烷偶联剂(silane coupling agent)或聚醯亚胺矽 氧烷(polyamide siloxane)。11.如申请专利范围第1.2.3.6. 7项之任一项之固体电解质电容器之制造方法,其 中上述含有上述阀作用之金属材料为铝,钇,铌,钛, 锆及其等之合金所选择之材料。12.如申请专利范 围第1.2.3.6.7项之任一项之固体电解质电容器之制 造方法,其中上述固体电解质为皮酪(氮杂茂pyrrol), 硫茂(thiophthene),苯胺(aniline),氧杂茂(furan)之任一之 1个二价基,或其等之置换衍生物之至少1个作为反 复单位所包含之导电性聚合物。13.如申请专利范 围第12项之固体电解质电容器之制造方法,其中上 述固体电解质为含有3,4-乙烯二羟硫茂(ethylen dihydroxythinophthene)之聚合物。14.如申请专利范围第 12项之固体电解质电容器之制造方法,其中上述固 体电解质为再含有烯丙磺酸盐(allyl sulfonite)系掺 杂剂(dopant)。15.一种固体电解质电容器,其系备有; 具有介电质膜皮,在具有阀作用之金属材料上之所 需位置形成固体电解质者,其特征为; 遮蔽材溶液为浸透于上述介电质膜皮并且在上述 浸透部上形成遮蔽层,上述固体电解质为不浸透于 浸透上述遮蔽材溶液之介电质膜皮中并且由形成 于上述浸透部上之遮蔽层具有被遮蔽之构造。16. 如申请专利范围第15项之固体电解质电容器,其中 使用耐热性树脂或其前体之遮蔽材溶液,以形成上 述遮蔽层。17.如申请专利范围第15项之固体电解 质电容器,其中浸透上述遮蔽材溶液之介电质膜皮 中之上述固体电解质浓度,为由电子线微分析仪之 检测界限値以下。18.一种遮蔽材涂布方法,其特征 为:在金属制导件之一端将复数固体电解质电容器 用基板固定成长方形,边移动上述金属制导件,在 上述基板之所需处所将圆盘状之回转辊轮以既定 押压力接触,将从遮蔽材溶液供给手段供给于回转 辊轮涂布面之遮蔽材溶液涂布于上述固体电解质 电容器用基板之所需处所之两面及两侧面。19.如 申请专利范围第18项之遮蔽材涂布方法,其中倒反 金属制导件与回转辊轮之相对性相关位置在固定 于金属制导件之基板两面及两侧面涂布遮蔽材溶 液。20.一种遮蔽材涂布装置,其特征为: 备有;将复数固体电解质电容器用基板(12)之一端 固定成长方形之金属制导件(11),移动上述金属制 导件之手段,在上述基板(12)之所需处所以既定押 压力接触之圆盘状回转辊轮(13),在上述回转辊轮 之涂布面供给含有遮蔽材溶液之手段(14),及清扫 回转辊轮(13)涂布面之刮板(15),在固体电解质电容 器用基板(12)之所需处所之两面及两侧面涂布遮蔽 材。21.如申请专利范围第20项之遮蔽材涂布装置, 其中倒反金属制导件与回转辊轮之相对性相关位 置,涂布固定在金属制导件之基板两面及两侧面。 22.如申请专利范围第20项之遮蔽材涂布装置,其中 备有2台回转辊轮将固定于倒反之金属制导件之基 板相反面由专用之回转辊轮涂布。23.如申请专利 范围第20项之遮蔽材涂布装置,其中装设配置成夹 住基板状态之2台回转辊轮,对于移动固定于金属 制导件之基板两面及两侧面同时涂布遮蔽材。24. 如申请专利范围第20项至第23项之任一项之遮蔽材 涂布装置,其中基板为由阀作用金属材料所构成, 回转辊轮之涂布面为对于上述基板以其弹性限制 范围内之押压力接触。25.如申请专利范围第20项 至第23项之任一项之遮蔽材涂布装置,其中回转辊 轮为金属材料或陶瓷材料。26.如申请专利范围第 20项至第23项之任一项之遮蔽材涂布装置,其中刮 板为在回转辊轮涂布面做线接触之树脂制或较回 转辊轮材更柔软之钢制板。27.如申请专利范围第 20项至第23项之任一项之遮蔽材涂布装置,其中在 刮板之前方配设对于树脂制纤维含浸有机溶剂及/ 或水之擦拭材(16)。28.如申请专利范围第20项至第 23项之任一项之遮蔽材涂布装置,其中遮蔽材供给 手段(4)为由定量连续排出机与管状构件所构成。 图式简单说明: 第一图A~ 第一图D系本发明之固体电解质电容器之 制程之概要图。 第二图系表示本发明之方法所得到之固体电解质 电容器之遮蔽层构造之模式图。 第三图系固体电解质电容器元件例之剖面图。 第四图A~第四图F系进行二段遮蔽处理时之本发明 之固体电解质电容器制程之概要图。 第五图系表示进行遮蔽材之涂布装置例之概要平 面图(第五图A)及侧面图(第五图B)。 第六图系基板之侧面涂布之说明图。 第七图系于实施例所制作之固体电解质电容器元 件之剖面图。 第八图系表示涂布遮蔽材之电容器之遮蔽部分周 边之剖面之放大照片。
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