发明名称 堆积陶瓷电容器
摘要 本发明系例如关于具有内部电极图案与陶瓷层之堆积体,在此堆积体之端部设置与上述内部电极导通之外部电极之堆积陶瓷电容器,特别是关于内部电极层在3μm以下之薄型者,在烧制时不易产生堆积体内部之龟裂之堆积陶瓷电容器。其课题为:于烧制时,不易产生由于在堆积体之内部之内部电极与陶瓷层之收缩动作之不同所引起之龟裂。其解决手段为:堆积陶瓷电容器系具备:陶瓷层7与内部电极5、6交互被堆积之堆积体3,及被设置在此堆积体3之端部之外部电极2、2,藉由上述内部电极5、6各到达陶瓷层7之互相面对之至少一对之端缘之其中一方,内部电极5、6各被导出于堆积体3之相面对端面,被导出于同一堆积体3之端面之内部电极5、6被各别连接于上述外部电极2、2。在透过上述陶瓷层7于堆积体3之内部相面对之内部电极5、6具有部份没有存在导体粒子8、也没有陶瓷粒子10之空隙部9。
申请公布号 TW452807 申请公布日期 2001.09.01
申请号 TW089112762 申请日期 2000.06.28
申请人 太阳诱电股份有限公司 发明人 中村俊哉
分类号 H01G4/30;H01G7/02;H01G4/12 主分类号 H01G4/30
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种堆积陶瓷电容器,其系一种具备:陶瓷层(7)与 内部电极(5)、(6)交互被堆积之堆积体(3),及被设置 在此堆积体(3)之端部之外部电极(2)、(2),藉由上述 内部电极(5)、(6)各到达陶瓷层(7)之互相面对之至 少一对之端缘之其中一方,内部电极(5)、(6)各被导 出于堆积体(3)之相面对端面,被导出于同一堆积体 (3)之端面之内部电极(5)、(6)被各别连接于上述外 部电极(2)、(2)之堆积陶瓷电容器,其特征为:在上 述堆积体(3)之内部相面对之内部电极(5)、(6)设置 部份没有存在导体粒子(8)、也没有陶瓷粒子(10)之 空隙部(9)。2.如申请专利范围第1项记载之堆积陶 瓷电容器,其中存在于内部电极(5)、(6)之空隙部(9) 系占有内部电极(5)、(6)之面积的25~75%。3.如申请 专利范围第1或2项记载之堆积陶瓷电容器,其中前 述内部电极(5)、(6)之膜厚系在3m以下。图式简 单说明: 第一图系显示依据本发明之堆积陶瓷电容器之例 之一部份缺除之斜视图。 第二图系显示同一堆积陶瓷电容器之第一图之A部 之重要部位放大剖面图。 第三图系分离显示同一堆积陶瓷电容器之例之堆 积体之各层之分解斜视图。 第四图系显示同一堆积陶瓷电容器之第三图之B部 之重要部位放大图。 第五图系显示同一堆积陶瓷电容器之第四图之C部 之重要部位放大图。 第六图系显示制造堆积陶瓷电容器用之陶瓷生片 之堆积状态之各层之分离斜视图。
地址 日本