| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur plasmagestützten Oberflächenbehandlung von Substraten im Vakuum. Aufgabengemäss sollen homogene, kontaminationsfreie Schichten auf Substratoberflächen ausgebildet und die unerwünschte Beschichtung im Inneren von Vakuumbeschichtungsanlagen mit geringem Aufwand vermieden werden können. Gleichermassen sollen Ätzprozesse zur Bearbeitung der Substrate oder zur plasma-chemischen Reaktorreinigung zu keiner Korrosion oder Ablagerung von Ätzprodukten im Inneren der Vakuumkammer führen. Zur Lösung dieses Problems ist eine Reaktionskammer (1) in einer Vakuumkammer (3) angeordnet. Die Reaktionskammer (1), in der die eigentliche Oberflächenbehandlung durchgeführt wird, ist zusätzlich von einer Spülkammer (2) umschlossen. Durch die Spülkammer wird über Anschlüsse ein Spülgas zu- und wieder (6, 7) abgeführt. Die Spülkammer kann die Reaktionskammer vollständig umschliessen. Es ist aber ausreichend, wenn die Spülkammer lediglich an Dichtflächen der Reaktionskammer angeordnet ist.</p> |
