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<p>Bei einem in einem BiCMOS integrierbaren Herstellungsverfahren für bipolare einzelpolisilizium-Transistoren wird durch eine Basiskontaktschicht (10) bis zu einem Kollektorbereich (2, 7) ein Emitterkontaktloch (13) ausgeätzt. Anschließend werden im Emitterkontaktloch (13) die Basisschicht (8) und der Emitter (15) ausgebildet.</p> |
