发明名称 ENHANCED PLANARITY ISOLATION STRUCTURE AND METHOD
摘要 <p>La présente invention concerne, d'une part un dispositif de circuit (56) intégrant une structure d'isolation, et d'autre part divers procédés de fabrication correspondants. Pour un premier aspect, l'invention concernant un procédé de fabrication d'un dispositif de circuit (58) sur une zone active (56) d'un substrat (62). Le procédé comporte la formation d'une structure isolante (54) autour de la zone active (56). La structure active (54) comporte une banquette inclinée (66) contre la zone active (56). La structure isolante (54) est attaquée par étincelage de façon à réduire la pente de la banquette (66). Une structure conductrice (68) est réalisée sur la banquette (66). Le dispositif (58) et le procédé garantissent une meilleure planéité des structures d'isolation.</p>
申请公布号 WO2001063663(A1) 申请公布日期 2001.08.30
申请号 US2000032918 申请日期 2000.12.04
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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