| 发明名称 |
METHOD FOR PRODUCING BIPOLAR TRANSISTORS IN A BICMOS PROCESS |
| 摘要 |
Bei einem in einem BiCMOS integrierbaren Herstellungsverfahren für bipolare einzelpolisilizium-Transistoren wird durch eine Basiskontaktschicht (10) bis zu einem Kollektorbereich (2, 7) ein Emitterkontaktloch (13) ausgeätzt. Anschliessend werden im Emitterkontaktloch (13) die Basisschicht (8) und der Emitter (15) ausgebildet.
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| 申请公布号 |
WO0163644(A2) |
申请公布日期 |
2001.08.30 |
| 申请号 |
WO2001EP01054 |
申请日期 |
2001.02.01 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;MUELLER, KARLHEINZ |
发明人 |
MUELLER, KARLHEINZ |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L21/8249;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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