| 摘要 |
<p>Erfindungsgemäss wird ein Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Schicht bereitgestellt, wobei durch das Anlegen eines äusseren elektrischen Feldes eine Kristallisation des Materials entsprechend einer vorgegebenen Richtung erleichtert wird. Auf diese Weise lassen sich ferroelektrische Schichten erzeugen, deren Domänen bevorzugt so ausgerichtet ist, dass ihre Polarisationsvektoren senkrecht zu den Elektroden des Speicherkondensators in einer Speicherzelle stehen. Dies hat zur Folge, dass während des Betriebs der Speicheranordnung der gesamte Polarisationsvektor der Domäne im wesentlichen parallel zu dem Feld des Speicherkondensators verläuft und eine dementsprechend hohe remanente Polarisation erzeugt wird. Entsprechend hoch ist das Signal, das aus den Speicherkondensatoren ausgelesen werden kann.</p> |
