| 摘要 |
<p>Zur Herstellung eines bipolaren Transistors in einem BICMOS-Prozeß wird in einem Emitterkontaktbereich (1) ein Platzhalter (9) ausgebildet, der als Maske bei der Implantation der Basiskontaktschicht (10) dient. Anschließend wird der Platzhalter (9) entfernt und durch das entstehende Emitterkontaktloch ein Podestkollektor und eine Basisschicht implantiert. Anschließend erfolgt die Ausbildung der Emitterschicht im Emitterkontaktloch. Durch die Anwendung des Verfahrens ergibt sich ein bipolarer Transistor mit niedrigem äußerem Basisbahnwiderstand. <IMAGE></p> |
