形成用于互连的双层低介电阻挡层的方法及形成的装置

摘要

公开一种在铜导体上形成双层低介电阻挡层的方法与形成的装置。首先提供带有形成在绝缘体层内的铜导体的经预处理的衬底。然后沉积一层含磷或含硼薄膜。在第一退火处理中此结构在还原气氛中加热,延续时间足以使含磷或含硼合金扩散到铜导体顶面的2－4个原子层内。然后在上面沉积一层低介电薄膜。在第二热处理中把此结构在还原气氛中加热至至少1小时。还公开一种在半导体结构内的导电体,其双层阻挡层表现出对铜导体优良的阻挡与附着性能。

主权项

1．一种在铜导体上形成双层低介电阻挡层的方法，包括步骤：提供一个带有形成在绝缘体层内的铜导体的经预处理的衬底；在所述铜导体上面沉积一层含磷或含硼合金的薄膜；在第一热处理中把所述经预处理的衬底在还原气氛中加热至温度为至少300℃延续时间长到足以使所述含磷或含硼合金扩散到所述铜导体顶面的至少3个原子层内；在所述含磷或含硼合金薄膜上面沉积一层电介质薄膜；与在第二热处理中把所述经预处理的衬底在还原气氛中加热至温度为至少300℃延续至少1小时。