| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件包括:在一导电型区域上的预定区域中形成的晶体管的栅绝缘膜;形成在栅绝缘膜上的晶体管的栅电极;在一导电型区域上且形成在栅绝缘膜两侧的另一导电型的扩散层;在一导电型区域上且可包围栅绝缘膜和另一导电型的扩散层那样来形成的比一导电型区域的杂质浓度高的一导电型的扩散层。在这样的半导体器件中,一导电型的扩散层与栅绝缘膜分开形成。由此,在晶体管导通状态下发生的与沟道区域的反型层(栅绝缘膜下的另一导电型的反型层)形成PN结的是比一导电型的扩散层浓度更低的一导电型区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1310479A | 申请公布日期 | 2001.08.29 |
| 申请号 | CN01111383.9 | 申请日期 | 2001.01.31 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 井上征宏 |
| 分类号 | H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，包括：在一导电型区域上的预定区域中形成的晶体管的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的所述晶体管的栅电极；在所述一导电型区域上且形成在所述栅绝缘膜两侧的另一导电型的扩散层；在所述一导电型区域上且可包围所述栅绝缘膜和另一导电型的扩散层那样来形成的比所述一导电型区域的杂质浓度高的一导电型的扩散层，其特征在于，形成所述一导电型的扩散层，使其与所述栅绝缘膜的形成区域中的沟道宽度方向的两端部的区域连接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||