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发明名称 MOS-Feldeffekt-Transistor mit Leitfähigkeitsmodulation
摘要
申请公布号 DE3856480(D1) 申请公布日期 2001.08.23
申请号 DE19883856480 申请日期 1988.02.24
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI 发明人 NAKAGAWA, AKIO;YAMAGUCHI, YOSHIHIRO;WATANABE, KIMINORI
分类号 H01L29/78;H01L27/04;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/68;H01L29/739;H01L29/745;(IPC1-7):H01L29/72 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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