| 摘要 |
<p>Cette invention concerne un procédé PVD (physical vapor deposition) de nitrure(s) métalliques. Ce procédé aux performances améliorées consiste à augmenter les pressions partielles de l'azote ou d'autres gaz actifs près de la surface de la plaquette par introduction initiale d'argon ou d'un autre gaz neutre dans une chambre PVD à plasma de métal ionisé via une entrée de gaz supérieure (38) au niveau ou à proximité de la cible, à déclencher une activité plasmatique en présence d'argon ou d'autre gaz neutres seuls, puis à introduire dans cette même chambre de l'azote ou d'autres gaz actifs par une entrée de gaz inférieure (39) au niveau ou à proximité de la surface de la plaquette, ceci afin d'accroître les taux de dépôt et d'abaisser la résistance électrique de la couche métallique déposée. L'invention concerne également un dispositif comprenant une source d'argon près de la surface de la cible et une source d'azote intégrée au support de substrat permettant de diffuser de l'azote à proximité de la surface du substrat.</p> |
