| 摘要 |
n행 m열(n, m은 자연수)에 배치된 메모리 셀의 각 비트에 대해서 기록 지령의 입력에 응답하여 1행씩 그 행에 대응하는 신호선을 충전하고, 1행분의 모든 비트에 대한 기록 완료 후에 다음 신호선을 충전하며, 또한, 충전되어 있는 신호선에 대응하는 1행분의 비트 각각에 대해서 순차 1 비트씩 기록을 행하는 반도체 집적회로에 있어서, 단시간에, 또한, 확실하게 신호선을 방전시킨다. 지연회로를 설치함으로써, 기생 용량에 충전되어 있는 전하의 방전 시간을 확보한다. 방전이 완료한 후에 어드레스가 변화하게 되고, 따라서 오류 기록이 행하여지지 않는다. |
