| 发明名称 |
Method for manufacturing capacitor of semiconductor memory device by two-step thermal treament |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB0115702(D0) |
申请公布日期 |
2001.08.22 |
| 申请号 |
GB20010015702 |
申请日期 |
2001.06.27 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L27/108;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/324;H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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