| 发明名称 | 具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 提供了制造具有高介电常数(k大于7)栅绝缘体、低覆盖电容(0.35fF/μm或更低)、以及短于光刻确定的栅长度的沟道长度(亚光刻,例如0.1μm或更短)的MOSFET的方法。这些方法包括镶嵌工艺步骤和化学氧化物清除(COR)步骤。COR步骤在衬垫氧化物层上产生一个大的斜坡,当与高k栅绝缘体组合时,导致比用常规互补金属氧化物半导体(CMOS)技术制作的MOSFET器件更低的覆盖电容、短的沟道长度和更好的器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1309419A | 申请公布日期 | 2001.08.22 |
| 申请号 | CN01102992.7 | 申请日期 | 2001.02.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 黛安娜·C·博伊德;霍塞因·I·哈纳费;梅克·伊昂格;韦斯利·C·纳茨尔 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种制作具有低的覆盖电容和短的沟道长度的MOSFET器件的方法，它包含下列步骤：(a)提供具有制作在衬底表面上的叠层膜的半导体结构，所述叠层膜包含至少一个制作在所述衬底的所述表面上的衬垫氧化物层和一个制作在所述衬垫氧化物层上的氮化物层；(b)在所述氮化物层中制作停止在所述衬垫氧化物层上的栅孔；(c)在所述栅孔中的所述氮化物层上制作氧化物层；(d)对所述氧化物层和部分所述衬垫氧化物层进行腐蚀，以便在所述栅孔中提供暴露所述衬底的窗口，其中的衬垫氧化物层被所述腐蚀削尖；(e)在所述栅孔周围和所述暴露的衬底上制作高k高温金属氧化物层；(f)用栅导体填充所述栅孔；(g)清除暴露部分所述高k高温金属氧化物的所述氮化物层；以及(h)完成所述MOSFET器件的制造。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||