| 发明名称 |
CMOS process utilizing disposable silicon nitride spacers for making lightly doped drain transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0456318(B1) |
申请公布日期 |
2001.08.22 |
| 申请号 |
EP19910201066 |
申请日期 |
1991.05.06 |
| 申请人 |
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. |
发明人 |
CHEN, TEH-YI JAMES |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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