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发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH ABRUPT SOURCE/DRAIN JUNCTIONS
摘要
申请公布号 KR20010080432(A) 申请公布日期 2001.08.22
申请号 KR1020017006013 申请日期 2001.05.11
申请人 发明人
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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