| 主权项 |
1.一种制造有机冷光(EL)装置之方法,包括:(a)于多个横向间隔及电绝缘基座条上制备正性光阻层,基座条在空间关系上位于沉积于基体上之阳极上方;(b)于基座条之上方形成下部凹入之促进交联抑制层,此抑制层之材料产生一种可扩散之交联抑制剂;(c)于下部凹入之促进抑制层上制备一影像倒转光阻层及使之形成图样,然后进入定向于每一基座条上方之一有机蒸气沉积掩罩中,此光阻层具有下部凹入之侧部表面以其与连续曲线结合而成掩罩顶部表面及于其中交联抑制剂业已扩散进入有机蒸气掩罩中;(d)于相邻之掩罩之间形成一有机之EL层;及(e)于有机EL介质层上方形成多个阴极,此等阴极由有机掩罩使其成横向间隔。2.一种制造有机冷光(EL)装置之方法,包括以下步骤:(a)于透光基体上制备多个横向间隔之透光阳极;(b)形成多个横向间隔之有机电绝缘基座条于阳极电极上方及基体上方,及对于阳极而言成一定向空间关系;(c)形成一下部凹入之促进交联抑制层于基座条上方及阳极之此等部分上方,及基体则维持于基座条之间,抑制层之材料在当加热时能产生及释放交联抑制剂;(d)于抑制层上制备一影像倒转光阻层;(e)使影像倒转光阻层曝光于活化辐射中及具有经选择在实质上与基座条相一致之曝光图样;(f)将基体加热至一温度,以其足够致使交联抑制层产生交联抑制剂,此抑制剂能扩散一距离而进入影像倒转光阻层;(g)使影像倒转光阻层均匀曝光于活化辐射中;(h)将影像倒转光阻层显像以于基座条上方提供蒸气沉积掩罩,其中在影像倒转光阻层中,在抑制层之整个扩散距离中,业已减少浓度之交联抑制剂可促进影像倒转光阻层在其与抑制层之间之界面处有较高之显像率,如此每一蒸气沉积掩罩具有下部凹入表面,此等表面以连续之曲线会合于一共同掩罩顶部表面处,此顶部表面实质上平行于基体而延伸;(i)藉于蒸气沉积掩罩之间之一种有机EL介质之蒸气沉积,于阳极上方形成一有机EL介质层;及(j)藉于蒸气沉积掩罩之间之一种阴极材料之蒸气沉积,于EL介质层上方形成多个横向间隔之阴极。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中基座条形成步骤包括以下步骤:(i)形成一黏着层于基体上方及阳极上方;(ii)制备一正性光阻层于黏着层上方;(iii)将正性光阻层曝光于活化辐射中及具有经选择之图样,此等基座条当显像后将具有实质上平行于基体之基座顶部表面及具有向下倾斜至黏着层,并且对于基座顶部表面成小于60之基座侧部表面;(iv)将正性光阻层显像以提供基座条;及(v)将基座条加热至一温度以其足够使每一基座条之正性光阻剂交联,如此可形成具有一基座宽度WP之在结构上及化学上稳定之基座条。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中影像倒转光阻图样曝光步骤,基体加热步骤,影像倒转光阻均匀曝光步骤,及影像倒转光阻显像步骤,系经选择以提供具有一掩罩宽度WM之蒸气沉积掩罩,及安置于具有一基座宽度WP之基座条上方之中央,其中WM/WP在0.4-0.95范围。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中有机EL介质层形成步骤包括以下步骤:(i)形成一有机电洞传送层于阳极上方;及(ii)形成一有机发光层于电洞传送层上方。6.根据申请专利范围第2项之方法,其中基体加热步骤产生由胺分子构成之一种交联抑制剂。7.根据申请专利范围第2项之方法,其中基体加热步骤另外包括使影像倒转光阻层之经曝光图样在与扩散之交联抑制剂相关之情况下成为交联。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中影像倒转光阻层之经曝光之图样之交联,在当扩散之交联抑制剂之浓度增加时会逐渐受到阻滞。图式简单说明:第一图A为根据本发明于制造阶段所示之一有机EL装置之示意透视图,于此制造阶段有机蒸气沉积掩罩业已形成于有机基座条上,而基座条则设置于形成于基体上之阳极之上方;第一图B为示于第一图A中,沿1B-1B线所取之装置之示意横截面图;第二图为装置之经放大之横截面图,图中例示基座条及详细例示与其相关之特点;第三图显示根据本发明之第一图A中之装置之经放大之横截面图,于其中具有下方凹入之侧部表面之有机蒸气沉积掩罩业已形成于一交联抑制层之上方,抑制层则设置于第二图之基座条上方;第四图为根据本发明之有机EL装置之示意横截面图,图中指示将有机EL材料以蒸气沉积于有机蒸气沉积掩罩上方及之间而形成一有机EL介质层之步骤;第五图为根据本发明之类似于第四图中所示之一示意横截面图,图中例示以蒸气沉积阴极材料于有机蒸气沉积掩罩上方及之间之阴极材料,而于有机EL介质上方形成阴极;第六图A-第六图J为一基体之示意侧视图,此基体具有一阳极于其上,图中指示依顺序形成有机基座条(第六图A-第六图D),及形成有机蒸气沉积掩罩,而此掩罩则系形成于基座条上(第六图E-第六图J);第六图A显示在黏着层上方之一黏着层及一正性光阻层,以具有基座条形成之图样活化辐射使正性光阻层曝光;第六图B显示在将第六图A中之经以图样方式曝光之正性光阻层显影之后所形成之基座条;第六图C显示一加热步骤,于其中第六图B之基座条经充份加热以使基座条之正性有机光阻材料交联;第六图D系用于指示有机基座条之形成之完成;第六图E显示形成于第六图D之基体上及基座条之上方之交联之抑制层;第六图F显示形成于抑制层上方之掩罩形成倒转影像之光阻层;第六图G显示在实质上与基座条之顶部表面相一致之区域中影像倒转光阻层置于活化辐射中之图样规范之曝光;第六图H指示基体之一加热步骤,其中一种促进下部凹入之交联抑制剂系由抑制层产生,此抑制剂扩散进入掩罩形成影像倒转层中一距离;第六图I显示掩罩形成影像倒转光阻层置于活化辐射中之均匀曝光;第六图J为当将第六图I之掩罩形成光阻层显影之后所得之完成之蒸气沉积掩罩图;及第七图为根据本发明之有关制作一有机EL装置之处理步骤序列之示意流程图。 |
