| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:复数电源供应电路,用以输出有互异复数电压之电源;复数电源线,分别连接该等电源供应电路,用以传输有互异电位之该电源;复数内部电路,分别连接该等电源线,用以操作有互异电位之该电源;复数电源供应开关,分别置于该等电源线上,用以开启与关闭该等电源线上之电源传输;复数控制线,分别连接该等电源供应开关与该等内部线路间之复数接合处;一信号外部端点,连接至该等控制线;以及复数外部开关,分别置于该等控制线上。2.如申请专利范围第1项所述之该半导体装置,其中至少一该等外部开关,包括一低电压外部开关,置于至少一该等控制线上,该控制线至少连接至一该等电源线用以传输电源,其电压不是该等电压之最高値,且该低电压外部开关包括一有背闸之MOS电晶体,该半导体装置还包括:至少一高电压控制开关,用以选择性地连接该MOS电晶体之该背闸至该控制线,其所连接的该电源供应开关用以开启与关闭该有最高电压的该电源,且该内部电路用以操作有最高电压之该电源;以及至少一低电压控制开关,用以选择性地连接该MOS电晶体之该背闸至该控制线,其所连接的该电源供应开关用以开启与关闭该有最低电压的该电源,且该内部电路用以操作有最低电压之该电源。3.如申请专利范围第2项所述之该半导体装置,其中该高电压控制开关包括一MOS电晶体,其有一背闸连接至该控制线,其所连接的该电源供应开关用以开启与关闭该有最高电压的该电源,且该内部电路用以操作有最高电压之该电源,以及该低电压控制开关包括一MOS电晶体,其有一背闸连接至该低电压外部开关之该MOS电晶体上之该背闸。4.一种半导体装置,包括:一高电压电源供应电路,用以输出有一高电压之电源;至少一低电压电源供应电路,用以输出一电源,其有一低电压低于该高电压电源供应电路所输出之高电压;一高电压电源线,连接至该高电压电源供应电路,用以输出该高电压源供应电路所输出之有一高电压之该电源;至少一低电压电源线,连接至该低电压电源供应电路,用以输出该低电压源供应电路所输出之有一低电压之该电源;一高电压内部电路,连接至该高电压电源线,用以操作有一高电压之该电源;至少一低电压内部电路,连接至该低电压电源线,用以操作有一低电压之该电源;一高电压电源供应开关,包括一对MOS电晶体,序列地置于该高电压线,并分别在相反方向有背闸连接;至少一低电压电源供应开关,包括一对MOS电晶体,序列地置于该低电压线,并分别在相反方向有背闸连接;复数控制线,分别连接于该等电源供应开关与该等内部电路间之连接处;一信号外部端点,连接至该等控制线;一高电压外部开关,包括一MOS电晶体置于连接该高电压电源线之一该等控制线上,并有一背闸连接至该高电压内部电路;至少一低电压外部开关,包括一MOS电晶体置于连接该等低电压电源线之该等相对控制线上,并有一背闸连接至该低电压内部电路;至少一高电压控制开关,其中有一背闸连接至连接该高压电源供应开关与该高压内部开关间之一该等控制线,用以选择性地连接该低电压外部开关上该MOS电晶体之该背闸至一该等控制线;以及至少一低电压控制开关,其中有一背闸连接至该低电压外部开关上该MOS电晶体之该背闸,用以选择性地连接另一连接该低压电源供应开关与该低压内部开关间之该等控制线至该低电压外部开关上该MOS电晶体之该背闸。5.如申请专利范围第2项之该半导体装置,其中每个该等电源供应电路包括复数装置,用以产生有一正电压之电源,且该MOS电晶体包括一P型MOS电晶体。6.如申请专利范围第3项之该半导体装置,其中每个该等电源供应电路包括复数装置,用以产生有一正电压之电源,且每一该等MOS电晶体包括一P型MOS电晶体。7.如申请专利范围第4项之该半导体装置,其中每个该等电源供应电路包括复数装置,用以产生有一正电压之电源,且每一该等MOS电晶体包括一P型MOS电晶体。8.如申请专利范围第2项之该半导体装置,其中每个该等电源供应电路包括复数装置,用以产生有一负电压之电源,且该MOS电晶体包括一N型MOS电晶体。9.如申请专利范围第3项之该半导体装置,其中每个该等电源供应电路包括复数装置,用以产生有一负电压之电源,且每一该等MOS电晶体包括一N型MOS电晶体。10.如申请专利范围第4项之该半导体装置,其中每个该等电源供应电路包括复数装置,用以产生有一负电压之电源,且每一该等MOS电晶体包括一N型MOS电晶体。11.一种半导体装置的测试方法,该半导体装置有一复数电源供应电路,用以输出有彼此电位差之电源;一复数电源线,分别连接该等电源供应电路,用以传输有彼此电位差之该电源;一复数内部电路,分别连接该等电源线,用以操作有彼此电位差之该电源;一复数电源供应开关,分别置于该等电源线上,用以开启与关闭该等电源线上之电源传输;一复数控制线,分别连接该等电源供应开关与该等内部线路间之接合处;一信号外部端点,连接至该等控制线;以及一复数外部开关,分别置于该等控制线上;该方法包括该等步骤;利用开启该电源供应开关以及连接该电源供应电路与该外部端点之该外部开关,并关闭连接该等其他电源供应开关及该外部端点之所有该等其他电路,以检测由一该等电源供应电路供应至该电源至一该等内部电路之该电源;以及利用开启连接该一该等内部电路与该外部端点之该外部开关,并关闭连接该内部电路与该一该等电源供应电路之该电源供应开关,且关闭连接该等其他内部电路与该外部端点之所有该等其他外部开关,由一外部电源供应电源至一该等内部电路。12.一种半导体装置的测试方法,该半导体装置有一高电压电源供应电路,用以输出有一高电压之电源;至少一低电压电源供应电路,用以输出一电源,其有一低电压低于该高电压电源供应电路所输出之高电压;一高电压电源线,连接至该高电压电源供应电路,用以输出该高电压源供应电路所输出之有一高电压之该电源;至少一低电压电源线,连接至该低电压电源供应电路,用以输出该低电压源供应电路所输出之有一低电压之该电源;一高电压内部电路,连接至该高电压电源线,用以操作有一高电压之该电源;至少一低电压内部电路,连接至该低电压电源线,用以操作有一低电压之该电源;一高电压电源供应开关,包括一对MOS电晶体,依序地置于该高电压线,并分别在相反方向有背闸连接;至少一低电压电源供应开关,包括一对MOS电晶体,依序地置于该低电压线,并分别在相反方向有背闸连接;复数控制线,分别连接于该等电源供应开关与该等内部电路间之连接处;一信号外部端点,连接至该等控制线;一高电压外部开关,包括一MOS电晶体置于连接该高电压电源线之一该等控制线上,并有一背闸连接至该高电压内部电路;至少一低电压外部开关,包括一MOS电晶体置于连接该等低电压电源线之该等相对控制线上,并有一背闸连接至该低电压内部电路;至少一高电压控制开关,其中有一背闸连接至连接该高压电源供应开关与该高压内部开关间之一该等控制线,用以选择性地连接该低电压外部开关上该MOS电晶体之该背闸至一该等控制线;以及至少一低电压控制开关,其中有一背闸连接至该低电压外部开关上该MOS电晶体之该背闸,用以选择性地连接另一连接该低压电源供应开关与该低压内部开关间之该等控制线至该低电压外部开关上该MOS电晶体之该背闸;该方法包括该等步骤:利用开启该高电压电源供应开关与该高电压外部开关,并分别关闭该等低电压外部开关,以由该高电压电源供应电路供应电源至一高电压外部开关;利用开启该低电压电源供应开关以及连接至该低电压供应电路之该低电压外部开关与该高电压电源供开关,并关闭所有该等其他低电压电源供应电路与该等高电压外部开关,以检测由一该等低电压电源供应电路供应至该低电压内部电路之该电源;利用开启该高电压外部开关,并关闭该高电压电源供应开关以及所有该等外部低电压开关,由一外部电源引入一电压至一高电压内部电路;以及利用开启连接该低电压内部电路与该外部端点之该低电压外部开关以及该高电压电源供应开关,并关闭连接该低电压内部电路与该低电压电源供应电路之该低电压电源供应开关以及所有该等其他低电压电源供应电路,由一外部电源引入一电压至一低电压内部电路。图式简单说明:第一图系显示一习知半导体装置之电路图;第二图为一方块图系显示当第一图中该半导体装置在一正常操作状态下,复数开关被开启与关闭之情形;第三图a与第三图b为一方块图系显示当第一图中该半导体装置在测试操作状态下,复数开关被开启与关闭之情形;第四图系显示关于本发明一实施例中一半导体装置之电路图;第五图为一方块图系显示当第四图中该半导体装置在一正常操作状态下,复数开关被开启与关闭之情形。第六图a与第六图b为一方块图系显示当第四图中该半导体装置在测试操作状态下,由该半导体装置之复数电源供应电路供应电源至复数内部电路时,复数开关被开启与关闭之情形;第七图a所示为一方块图系显示当第四图中该半导体装置在测试操作状态下,由一外部电源供应电源至该等内部电路时,复数开关被开启与关闭之情形;第八图系显示根据本发明中之一第一改良型中一半导体装置之电路图;第九图所示为根据本发明中之一第二改良型中一半导体装置之电路图; |
