| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离的制造方法,该方法包括:提供一基底;形成一垫氧化层于该基底上;形成一罩幕层于该垫氧化层上;定义该罩幕层、该垫氧化层和该基底,以形成一沟渠及一主动区;进行一热氧化步骤,使该罩幕层所暴露出之侧壁连同该沟渠中沿着曝露的该基底表面氧化成一衬氧化层;于该沟渠与该罩幕层之侧壁形成一间隙壁;进行一氧化步骤;形成一绝缘层于该基底上并填满该沟渠;进行一平坦化制程,去除部份该绝缘层与部份该罩幕层,而留下该沟渠中的一绝缘插塞;以及去除该罩幕层、该垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中形成该罩幕层的方法包括化学气相沈积法。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中定义该罩幕层、该垫氧化层和该基底,以形成一沟渠及一主动区的方法包括微影蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该间隙壁的形成方法包括:于该基底上形成一共形的氮化矽层;以及进行一非等向性乾蚀刻步骤以去该罩幕层上之该氮化矽层与该沟渠底部之该氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该氧化步骤包括区域氧化法。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该平坦化制程包括化学机械研磨步骤。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中去除该罩幕层、该垫氧化层、该绝缘插塞之表面部份的方法包括湿蚀刻。9.一种浅沟渠隔离的制造方法,该方法适用于一基底,该基底具有一沟渠与一主动区,该主动区之该基底上依序为一垫氧化层与一罩幕层,该沟渠所暴露出之该基底表面具有一衬氧化层,该方法包括:于该沟渠与该罩幕层之侧壁形成一间隙壁;进行一氧化步骤;形成一绝缘层于该基底上并填满该沟渠;进行一平坦化制程,去除部份该绝缘层与部份该罩幕层,而留下该沟渠中的一绝缘插塞;以及去除该罩幕层、该垫氧化层、该绝缘插塞之表面部份。10.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该间隙壁的形成方法包括:于该基底上形成一共形的氮化矽层;以及进行一非等向性乾蚀刻步骤以去该罩幕层上之该氮化矽层与该沟渠底部之该氮化矽层。11.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该氧化步骤包括区域氧化法。12.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该平坦化制程包括化学机械研磨步骤。13.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中去除该罩幕层、该垫氧化层、该绝缘插塞之表面部份的方法包括湿蚀刻。14.一种浅沟渠隔离的制造方法,适用于已完成浅沟渠制造之一基底,该方法包括:于该沟渠所暴露之该基底表面形成一衬氧化层;于该沟渠之侧壁形成一间隙壁;进行一氧化步骤;形成一绝缘层于该基底上并填满该沟渠;以及去除该沟渠外之该绝缘层。15.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该间隙壁的形成方法包括:于该基底上形成一共形的氮化矽层;以及同时去除该沟渠以外之该氮化矽层与该沟渠底部之该氮化矽层。16.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该氧化步骤包括区域氧化法。图式简单说明:第一图A至第一图H系依照本发明之一种浅沟渠隔离区之制造流程剖面图。 |
