| 主权项 |
1.一种电浆处理方法,其包含有:利用对处理室内之气体施加高频所产生之电浆对被装载在上述处理室内基板装载台上之基板进行电浆处理,其特征为,在停止该高频之施加后,在处理室内使基板在指定之气体环境中曝露指定时间之工程;然后从处理室将基板搬出之工程;其中该基板曝露在指定气体环境中之工程,是在指定之气体环境中除去、抑制或防止该基板带电之工程,及包含有在指定气体环境中使基板从基板脱离基板装载台之工程。2.一种电浆处理方法,其系利用对处理室内之气体施加高频所产生之电浆对被装载在上述处理室内基板装载台上之基板进行电浆处理,其特征为,在停止该高频之施加后,在处理室内使基板在指定之气体环境中曝露指定之时间;然后从处理室将基板搬出;其中该基板曝露在指定气体环境中之工程,是在该指定之气体环境中除去、抑制或防止该基板之带电,及在该处理室内于基板被装载在基板装载台之状态,使该基板在指定之气体环境中曝露于指定之时间,然后,在该处理室内使基板脱离基板装载台。3.如申请专利范围第2项之电浆处理方法,其中使该基板脱离上述基板装载台之上述工程,是在第2指定之气体环境中进行。4.如申请专利范围第3项之电浆处理方法,其中该第2指定之气体环境中之气体与上述指定之气体环境中之气体相同。5.如申请专利范围第1至4项中任何一项之电浆处理方法,其中该基板曝露在上述指定气体之环境中之上述工程,是在上述高频之施加停止后在上述处理室内,使上述基板在上述之指定气体环境中曝露指定之时间。6.如申请专利范围第1至4项中任何一项之电浆处理方法,其中用以进行该基板电浆处理之上述工程,系使气体流入上述处理室内之同时,使气体从上述处理室排气,边将上述处理室内控制成指定之压力,利用边对上述处理室内之气体施加高频所产生之电浆来对被装载在上述处理室内之上述基板装载台之上述基板进行电浆处理;该基板曝露在上述指定气体环境中之上述工程,在上述电浆处理后停止上述高频之施加,在停止上述高频之施加之后,亦使流入上述处理室内气体之至少一种气体继续流入,并在上述处理室内使上述基板在上述指定之气体环境中曝露于指定之时间。7.如申请专利范围第5项之电浆处理方法,其中用以进行该基板电浆处理之上述工程,系使气体流入上述处理室内之同时,使气体从上述处理室排气,边将上述处理室内控制成指定之压力,利用边对上述处理室内之气体施加高频所产生之电浆来对被装载在上述处理室内之上述基板装载台之上述基板进行电浆处理;该基板曝露在上述指定气体环境中之上述工程,在上述电浆处理后停止上述高频之施加,在停止上述高频之施加之后,亦使流入上述处理室内气体之至少一种气体继续流入,并在上述处理室内使上述基板在上述指定之气体环境中曝露于指定之时间。8.如申请专利范围第6项之电浆处理方法,其中使流入该处理室内之气体中至少一种气体继续流入,使上述基板在上述指定之气体环境中曝露于指定时间之上述工程,在该电浆处理后停止施加上述高频,在停止施加上述高频之后亦使上述电浆处理时流入上述处理室内之气体中所有之气体继续流入,并在上述处理室内使上述基板在上述指定之气体环境中曝露于上述指定之时间。9.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2之指定之气体环境,在上述处理室内使气体继续流动之气体环境。10.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2之指定之气体环境是从上述处理室停止排气之气体环境。11.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2指定之气体环境是被控制压力之气体环境。12.如申请专利范围第10项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2指定之气体环境是被控制成压力与电浆处理时相同之气体环境。13.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2指定之气体环境是被控制流量与电浆处理时相同之气体环境。14.如申请专利范围第10项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2指定之气体环境是被控制成压力为0.2至1.5Torr之气体环境。15.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该指定之气体之环境和上述第2指定之气体环境,由电浆处理时所使用气体中1种以上之气体所形成。16.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,包含至少有1种还原性气体之气体环境。17.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,包含至少有1种在构造式中具有氧原子气体之气体环境。18.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该电浆处理,是利用电浆CVD法对上述基板上成膜。19.如申请专利范围第3或4项之电浆处理方法,其中该电浆处理是利用电浆CVD法对上述基板上之成膜。上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,由构造式中包含被成膜成分原子之气体所形成之气体环。20.如申请专利范围第19项之电浆处理方法,其中该电浆处理是利用电浆CVD法进行氧化矽膜之成膜。上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,是由Si原子在其构造式中具有之气体,氧原子在其构造式中具有之气体,以及Si原子及氧原子在其构造式中具有之气体中至少一种以上之气体所形成之气体环境。21.如申请专利范围第19项之电浆处理方法,其中该电浆处理是利用电浆CVD法进行氧化矽膜之成膜:上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,是由Si原子在其构造式中具有之气体,氮原子在其构造式中具有之气体,以及Si原子及氮原子在其构造式中具有之气体中至少一种以上之气体所形成之气体环境。22.如申请专利范围第19项之电浆处理方法,其中该电浆处理是利用电浆CVD法进行掺杂有13族或15族不纯物非晶形矽膜之成膜:上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,在上述非晶形矽膜为掺杂有13族不纯物之非晶形矽膜之场合时是由Si原子在其构造式中具有之气体,13族原子在其构造式中具有之气体,以及Si原子及13族原子在其构造式中具有之气体中至少一种以上之气体所形成之气体环境。在上述非晶形矽膜为掺杂有15族不纯物非晶形矽膜之场合时由Si原子在其构造式中具有之气体,15原子在其构造中具有之气体,以及Si原子及15族原子在其构造式中具有之气体中至少一种以上之气体所形成之气体环境。23.如申请专利范围第19项之电浆处理方法,其中该电浆处理是利用电浆CVD法进行n型之非晶形矽膜之成膜:上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,是由Si原子在其构造式中具有之气体,磷原子在其构造式中具有之气体,以及Si原子及磷原子在其构造式中具有之气体中至少一种以上之气体所形成之气体环境。24.如申请专利范围第22项之电浆处理方法,其中该电浆处理是利用电浆CVD法进行n型之非晶形矽膜之成膜:上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,是由Si原子在其构造式中具有之气体,磷原子在其构造式中具有之气体,以及Si原子及磷原子在其构造式中具有之气体中至少一种以上之气体所形成之气体环境。25.如申请专利范围第19项之电浆处理方法,其中该电浆处理,是利用电浆CVD法进行非晶形矽膜之成膜:上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,在构造式中具有Si原子气体所形成之气体环境。26.如申请专利范围第19项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境及上述第2指定之气体环境更包含有惰性气体或氢气。27.如申请专利范围第20项之电浆处理方法,其中在构造式中具有Si原子之上述气体,是以SinH2n+2(n为1以上之整数)表示之气体。28.如申请专利范围第21项之电浆处理方法,其中在构造式中具有Si原子之上述气体,是以SinH2n+2(n为1以上之整数)表示之气体。29.如申请专利范围第22项之电浆处理方法,其中在构造式中具有Si原子之上述气体,是以SinH2n+2(n为1以上之整数)表示之气体。30.如申请专利范围第23项之电浆处理方法,其中在构造式中具有Si原子之上述气体,是以SinH2n+2(n为1以上之整数)表示之气体。31.如申请专利范围第25项之电浆处理方法,其中在构造式中具有Si原子之上述气体,是以SinH2n+2(n为1以上之整数)表示之气体。32.如申请专利范围第27项之电浆处理方法,其中该指定之气体环境和上述第2指定之气体环境更包含有H2气体。33.如申请专利范围第21项之电浆处理方法,其中在构造式中具有Si原子之上述气体,是选自SiF4.SiH2Cl2及Si2F6所成群组中1种以上之气体。34.如申请专利范围第20之电浆处理方法,其中在构造式中具有氧原子之上述气体,是选自N2O、CO2,CO及O2所成群组中1种以上之气体。35.如申请专利范围第21之电浆处理方法,其中在构造式中具有氮原子之上述气体,是选自NH3.N2和NF3所成群组中1种以上之气体。36.如申请专利范围第23之电浆处理方法,其中在构造式中具有磷原子之上述气体为PH3。37.如申请专利范围第1项至4项中任何一项之电浆处理方法,其中在停止上述高频之施加后,更将稀有气体加于上述指定之气体环境。38.如申请专利范围第1项至4项中任何一项之电浆处理方法,其中该电浆处理是蚀刻处理,对于在构造式中具有F原子之气体,和选自H2,He,N2,O2,NH3和CO所成群组中1种以上之气体,施加高频来产生电浆,利用该电浆来对氧化矽膜、氮化矽膜、非晶形矽膜、n+-非晶形矽膜、单结晶矽膜和多结晶矽膜中之任何一种膜来蚀刻;上述指定之气体环境及上述第2指定之气体环境,是F原子在其构造式中具有之气体,选自H2.He、N2.O2.NH3和CO所成群组中1种以上之气体所成之气体环境。39.如申请专利范围第1项至4项中任何一项之电浆处理方法,其中该电浆处理,是蚀刻处理,对于Cl原子在其构造式中具有之气体,与选自H2.He、N2.O2.NH3和CO所成群组中1种以上之气体,施加高频来产生电浆,利用该电浆来对氧化矽膜、氮化矽膜、非晶形矽膜、n+-非晶形矽膜、单结晶矽膜和多结晶矽膜中之任何一种膜进行蚀刻;上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,是以Cl原子在其构造式中具有之气体、和选自H2.He、N2.O2.NH3和CO所成群组中1种以上之气体而成之气体环境。40.如申请专利范围第1项至4项中任何一项之电浆处理方法,其中该电浆处理是蚀刻处理,对HI气体施加高频来产生电浆,利用该电浆来对ITO膜进行蚀刻;上述指定之气体环境及上述第2指定之气体环境是HI气体环境。41.如申请专利范围第1项至4项中任何一项之电浆处理方法,其中该电浆处理是蚀刻处理,对选自HCl、Cl2.BCl3和CCl4所成群组中1种以上之气体、施加高频来产生电浆,利用该电浆来对Al膜进行蚀刻;上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,是选自HCl、Cl2.BCl3和CCl4所成群组中1种以上之气体所成之气体环境。42.如申请专利范围第1项至4项中任何一项之电浆处理方法,其中该电浆处理是喷溅处理,对选自Ar、He、Kr和Xe所成群组中1种以上之而成气体、施加高频来产生电浆,利用该电浆进行喷溅处理;上述指定之气体环境和上述第2指定之气体环境,是选自Ar、He、Kr和Xe所成群组中1种以上之气体所成之气体环境。43.如申请专利范围第1项至4项中任何一项之电浆处理方法,其中该电浆处理是研磨处理,对选自O2.NF3和H2O所成群组中之1种以上而成之气体、施加高频来产生电浆,利用该电浆来对光抗蚀剂进行研磨;上述指定之气体环境及上述第2指定之气体环境,是选自O2.CF3和H2O所成群组中1种以上之气体而成之气体环境。44.一种电浆处理装置,具备有:处理室,用来对基板施予电浆处理;高频施加用电极,可以用来将高频施加到处理室内;基板装载装置,被设在上述处理室内;基板脱离装置,用来使该基板脱离基板装载装置;气体供给管,被设置成与上述处理室连通;排气管,设成与上述之处理室连通;以及控制器,其控制方式是利用气体供给管将电浆处理用气体供给到处理室内,同时利用之排气管对气体一面排气,一面控制使处理室内成为指定之减压,利用电极对气体施加高频,来对被装载在基板装载台之基板作指定时间之电浆处理,其特征为:以该控制器,于该电浆处理后停止高频之施加,其后,自该气体供给管使气体流动在该气体之构造式中包含电浆处理时所使用之电浆处理用气体流动入该处理室内之构造式中包含之原子;然后,由基板脱离装置使基板自基板脱离装置脱离。45.如申请专利范围第44项之电浆处理装置,其中该高频施加用电极,是在上述处理室内被设成互相平行之平行平板型之2个电极;上述之基板装载装置被设在2个电极中之一方,或上述之基板装载装置是上述2个电极中之上述一方之电极。46.如申请专利范围第44项或45项之电浆处理装置,其中该控制器,自停止上述高频之施加后起,或从停止上述高频之施加起经过指定时间之后,利用上述基板脱离装置来使上述基板脱离上述基板装载装置。47.如申请专利范围第24项之电浆处理方法,其中在构造式中具有Si原子之上述气体,是以SinH2n+2(n为1以上之整数)表示之气体。图式简单说明:第一图是纵向剖面图,用来说明本发明之一实施形态之电浆CVD方法和电浆CVD装置;第二图是横向剖面图,用来说明本发明之一实施形态之电浆CVD方法和电浆CVD装置;第三图是平面图,用来说明被使用在本发明之一实施形态之电浆CVD装置之基板搬送装置;第四图是方块图,用来说明本发明之一实施形态之电浆CVD装置之控制器;第五图是方块图,用来说明适于使用本发明之一实施形态之电浆CVD方法和电浆CVD装置之LCD用叶片式电浆CVD装置;第六图是程序图,用来说明本发明之一实施形态之电浆CVD方法;和第七图是程序图,用来说明比较用之电浆CVD方法。 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