| 主权项 |
1.一种光微影方法,包含:在目标基板上提供一光阻材料层;藉由传导辐射经过一吸收材料层至该光阻材料,以部分曝光该光阻材料层,该吸收材料层系:(1)以与该吸收材料之厚度成正比之方式吸收辐射,以及(2)其中形成具有表面起伏构造;使光阻材料显影以便在经显影之光阻材料中形成表面起伏结构,其系对应于吸收材料中的表面起伏结构;以及蚀刻该经显影之光阻材料及目标基板以供在目标基板上形成表面起伏的结构,其系对应于该经显影之光阻材料中的表面起伏结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该在该目标基板上的表面起伏结构具有类似的表面形状。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤是以一种乾式蚀刻方法进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤是以一种湿式蚀刻方法进行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤是以一种化学辅助蚀刻方法进行。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻材料在应用的传导辐射之能量范围内,具有接近直线的对比曲线。7.一种光微影方法,包含:在目标基板上提供一光阻材料层;藉由传导辐射经过一吸收材料层至该光阻材料,以部分曝光该光阻材料层,该吸收材料层系:(1)以与该吸收材料之厚度成正比之方式吸收辐射,以及(2)其中形成具有表面起伏构造;使光阻材料显影以便在经显影之光阻材料中形成表面起伏结构,其系对应于吸收材料中的表面起伏结构。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该表面该经显影之光阻材料中的起伏结构具有类似的表面形状。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该光阻材料在应用的传导辐射之能量范围内,具有接近直线的对比曲线。10.一种光微影方法,包含:在目标基板上提供一光阻材料层;藉由传导辐射经过一吸收材料层至该光阻材料,以部分曝光该光阻材料层,该吸收材料层系:(1)以与该吸收材料之厚度成正比之方式吸收辐射,以及(2)其中形成具有表面起伏构造;并且蚀刻该经显影之光阻材料及目标基板以供在目标基板上形成表面起伏的结构,其系对应于该经显影之光阻材料中的表面起伏结构。11.如申请专利范围第10项之方法,其中在该目标基板上的表面起伏结构具有类似的表面形状。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该蚀刻步骤是以一种乾式蚀刻方法进行。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该蚀刻步骤是以一种湿式蚀刻方法进行。14.如申请专利范围第10项之方法,其中该蚀刻步骤是以一种化学辅助蚀刻方法进行。15.如申请专利范围第10项之方法,其中该光阻材料在应用的传导辐射之能量范围内,具有接近直线的对比曲线。图式简单说明:第一图为说明习知光微影术方法之概要图;第二图(a)-第二图(c)为说明根据本发明之一具体实施例的光微影术方法;第三图为说明基板(Rs)之蚀刻速率相对于光阻之蚀刻速率(Rp)之概要图;第四图显示已显影之Shipley光阻S3813与显影剂ShipleyMY-321的对比曲线;第五图显示显示藉由部分显影已曝光之Shipley光阻产生之结构;第六图说明一直接写入电子束方法,供形成一根据本发明之调变曝光光罩;第七图显示改变传送至电子束敏感之光阻材料的电荷量的结果;第八图(a)及第八图(b)说明根据本发明之其他二实施例的之调变曝光光罩的具体例。 |
