| 主权项 |
1.一种微透镜重做之方法,该方法至少包含以下之步骤:提供一基板,该基板上由下而上至少已形成复数个影像感测元件、彩色滤光膜、间隙膜层及该待重做之微透镜图案层,其中待重做之微透镜图案层系经显影后检查不合格,且未进行烘烤回流过的正光阻图案;全面施以曝光处理该基板,以使该待重做之微透镜图案层再次产生化学反应;施以显影处理以去除该已曝光之微透镜图案层并曝露出该间隙膜层;施以烘烤处理该基板;及重新形成微透镜图案于该间隙膜层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之影像感测元件至少包含互补式金氧半电晶体(CMOS)形式的影像感测元件。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之影像感测元件至少包含电荷耦合式的影像感测元件。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之曝光处理系以波长为300至500nm的光波照射。5.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之曝光处理系以300-1200mj的能量照射约0.5至5秒。6.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之曝光处理系以500-800mj的能量照射约1至3秒。7.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之间隙膜层及彩色滤光膜系负光阻材料。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之显影处理包含至少一次之喷洒显影液后静置(puddle)约30至120秒后,再以去离子水洗去显影液之步骤。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烘烤处理系用以将间隙膜层上的残留物质固定住。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烘烤处理系以140至220℃烘焙5至25分钟。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烘烤处理系以160至180℃烘焙5-20分钟。12.一种微透镜重做之方法,该方法至少包含以下之步骤:提供一基板,该基板上由下而上至少已形成复数个光电感测元件、彩色滤光膜、间隙膜层及该待重做之微透镜图案层,其中该彩色滤光膜及该间隙膜层系负光阻材料而微透镜图案层系经曝光及显影后尚未进行回流烘烤程序的正光阻材料;施以曝光处理该基板,以使该待重做之微透镜图案层再次进行曝光反应;施以显影处理,以去除该已曝光之微透镜图案层并曝露出该间隙膜层;施以烘烤处理该基板,以使于该间隙膜层上的任何残留正光阻材料安定化;及重新形成正光阻材料于该间隙膜层上,以进行微透镜图案制程。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之曝光处理系以波长为300至500nm的光波照射。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光处理系以300-1200mj的能量照射约0.5至5秒。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光处理系以500-800mj的能量照射约1至3秒。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之显影处理包含至少一次之喷洒显影液后静置(puddle)约30至120秒后,再以去离子水洗去显影液之步骤。17.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之烘烤处理系用以将间隙膜层上的残留物质固定住。18.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之烘烤处理系以140至220℃烘焙5至25分钟。图式简单说明:第一图显示依序为光电感测元件、保护层、平坦化材料、彩色滤光膜及间隙膜上的横截面示意图;第二图显示依据本发明之方法对正光阻微透镜层照射的示意图;第三图显示依据本发明之方法去除光阻并烘烤后有少量残留之光阻在间隙膜层上;及第四图显示依据本发明之方法经重制后的微透镜层的示意图。 |
