利用烧化法减少沉积物之炉管

摘要

本创作揭露一种减少沉积物之炉管，应用于半导体的四乙氧基矽烷沉积制程，其系在炉管的内外管壁间的气体通道送入氧气，利用烧化法将沉积反应后所剩余之烷类化合物及有机矽烷物烧化，以减少沉积物，因而降低设备预防保养之频率及所花费之时间与成本，进而提升生产之产能。

主权项

1.一种炉管,用于半导体制程中TEOS之沈积,该炉管包括:一内管,其内供放置载有晶圆之晶舟;一外管,套设于该内管外,二者之间并形成一通道,以便沉积反应所剩气体排出;以及一气体输入管,介于该内管与该外管之间,俾于该通道注入气体,以产生烧化反应。2.如申请专利范围第1项所述之炉管,该气体输入管所注入的气体为氧气。图式简单说明:第一图(a)系习知之炉管式低压化学气相沉积装置。第一图(b)系第一图(a)之上视剖面图。第二图系本创作之较佳实施例。