| 主权项 |
1.一种高密度电浆蚀刻方法,用以蚀刻覆盖于一光阻层下之氧化层,该方法包括:调整一反应器压力条件、一一氧化碳流量、一氩气流量、一八氟环丁烷流量、一电浆电源功率与一激冷温度,使得在蚀刻过程中所产生之紫外光强度降低,而减少一氮气之产生量,并且减少在该蚀刻方法过程中于该光阻层上所形成之阻障层之厚度,使得该氮气得以被释放。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该一氧化碳之流量为10sccm至25sccm。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该反应压力条件为3mTorr至50mTorr。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氩气流量为200sccm至400sccm。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该八氟环丁烷流量为15sccm至10sccm。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电浆电源功率为1100W至500W。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该激冷温度为10℃至-15℃。8.一种高密度电浆蚀刻方法,包括:提供一基底;形成一氧化层于该基底上;覆盖一光阻层于该氧化层上,并且定义该光阻层;调整一反应器压力条件、一一氧化碳流量、一氩气流量、一八氟环丁烷流量、一电浆电源功率与一激冷温度,用以降低该蚀刻过程中所产生之紫外光强度,以减少氮气之产生量,并且减少在该蚀刻方法过程中于该光阻层上所形成之阻障层之厚度,使得该氮气得以被释放。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该一氧化碳之流量为10sccm至25sccm。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该反应器压力条件为3mTorr至50mTorr。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氩气流量为200sccm至400sccm。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该八氟环丁烷流量为15sccm至10sccm。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该电浆电源功率为1100W至500W。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该激冷温度为10℃至-15℃。图式简单说明:第一图A与第一图B显示以习知之高密度电浆蚀刻法,在光阻层之未曝光区域所产生之光阻气泡;第二图显示依据本发明之蚀刻方法,无论在光阻层之曝光层区域与未曝光区域均没有产生气泡的实际结果图;以及第三图绘示依据本发明之制程方法的一剖面图。 |
