| 主权项 |
1.一种清洗背面受污染之基材的方法,该方法至少包含:供应酸剂至该基材的背面,该基材的背面朝上,数个夹具夹住该基材的第一位置,且该基材的旋转速度为175至300rpm,一气体以流速75至300l/min吹向该基材的正面;变换该基材之夹具的位置,其系以该数个夹具夹住该基材的第一位置转移至第二位置完成;及供应去离子水至该基材的背面,该基材的转速约为175至300rpm之间,该气体以流速75至300l/min吹向该基材的正面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之酸剂藉着第一导管供应至该基材上,该第一导管以该基材的中央为原点扫描于该基材的上方,其范围为-79至79mm,该第一导管的扫描速度约为30至150mm/sec。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之气体系为氮气与惰性气体的其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之酸剂系为四酸。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之四酸的组成系为重量百分比分别为2%-8%:35%-50%:8%-23%:7%-28%的氢氟酸(HF):硝酸(HNO3):硫酸(H2SO4):磷酸(H3PO4)。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之酸剂系为二酸。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之二酸的组成系为重量百分比分别为4%-27%:40%-78%的氢氟酸(HF):硝酸(HNO3)。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之供应酸剂的步骤中,同时于每3至6秒实施一次该基材夹具之位置的变换。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之去离子水系藉由第二导管供应至该基材,该第二导管以该基材的中央为原点,往返于该基材的中央与边缘之间,该第二导管移动的速度为30至60mm/sec之间。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之去离水的量为1.0至2.0l/min。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之供应去离水的步骤中,同时于每10至15秒实施一次该基材夹具之位置的变换。12.一种清洗背面受污染之基材的方法,该方法至少包含:供应酸剂至该基材的背面,同时每3至6秒实施一次该基材夹具之位置的变换,该基材的背面朝上,数个夹具夹住该基材的第一位置,且该基材的旋转速度为175至300rpm,一气体以流速75至300l/min吹向该基材的正面;变换该基材之夹具的位置,其系以该数个夹具夹住该基材的第一位置转移至第二位置完成;及供应去离子水至该基材的背面,同时每10至15秒实施一次该基材夹具之位置的变换,该基材的转速约为175至300rpm之间,该气体以流速75至300l/min吹向该基材的正面。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之酸剂藉着第一导管供应至该基材上,该第一导管以该基材的中央为原点扫描于该基材的上方,其范围为-79至79mm,该第一导管的扫描速度约为30至150mm/sec。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之气体系为氮气与惰性气体的其中之一。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之酸剂系为四酸。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之四酸的组成系为重量百分比分别为2%-8%:35%-50%:8%-23%:7%-28%的氢氟酸(HF):硝酸(HNO3):硫酸(H2SO4):磷酸(H3PO4)。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之酸剂系为二酸。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之二酸组成系为重量百分比分别为4%-27%:40%-78%的氢氟酸(HF):硝酸(HNO3)。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之去离子水系藉由第二导管供应至该基材,该第二导管以该基材的中央为原点,往返于该基材的中央与边缘之间,该第二导管移动的速度为30至60mm/sec之间。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之去离水的量为1.0至2.0l/min。图式简单说明:第一图为半导体晶圆的截面图,图中说明本发明之边缘与切缘于基材上的情形。第二图为半导体晶圆的立体图,图中显示本发明中清洗受污染之基材的情形。 |
