| 主权项 |
1.一种用于一金属层蚀刻的轮廓控制方法,该金属层系设于一半导体晶片之介电层上,该金属层包含有:一铝合金层,设于一介电层上;以及一抗反射层,设于该铝合金层上;该轮廓控制方法包含有下列步骤:进行一穿透步骤,提供一第一源功率、一第一偏压功率以及氮气为反应气体之一,以一第一蚀刻recipe去除该抗反射层以及一预定深度之该铝合金层,其中,该第一源功率与该第一偏压功率之比约为1/3;以及进行一主蚀刻步骤,提供一第二源功率、一第二偏压功率以及氮气为反应气体之一,以一较该第一蚀刻recipe快之第二蚀刻recipe去除残余之该金属层,其中,该第二源功率与该第二偏压功率之比约为10/3。2.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该穿透步骤所提供之氮气的流量系大于10sccm。3.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该穿透步骤另提供氯气(C12)与三氯化硼(BC13)为反应气体。4.如专利申请专利范围第3项之轮廓控制方法,其中,氯气之气体流量与三氯化硼之气体流量之比约为1:1。5.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该主蚀刻步骤另提供氯气(C12)与三氯化硼(BC13)为反应气体。6.如专利申请专利范围第5项之轮廓控制方法,其中,氯气之气体流量与三氯化硼之气体流量之比约为5:1。7.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该预定深度约为该铝合金层之厚度的1/3。8.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该金属层另包含有:一隔绝层,设于该铝合金层之下;以及一附着层,设于该隔绝层与该介电层之间。9.如专利申请专利范围第8项之轮廓控制方法,其中,该隔绝层系以氮化钛所构成。10.如专利申请专利范围第8项之轮廓控制方法,其中,该附着层系以钛所构成。11.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该铝合金层系以铝矽铜合金所构成。12.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该抗反射层系以氮化钛所构成。13.如专利申请专利范围第1项之轮廓控制方法,其中,该预定深度约为该铝合金层之1/3厚度。14.一种用于一金属层蚀刻的轮廓控制方法,该金属层系设于一半导体晶片之介电层上,该金属层包含有:一铝合金层,设于一介电层上;以及一抗反射层,设于该铝合金层上;该轮廓控制方法包含有下列步骤:进行一穿透步骤,以一第一蚀刻recipe去除该抗反射层以及一预定深度之该铝合金层;以及进行一主蚀刻步骤,以一较该第一蚀刻recipe快之第二蚀刻recipe去除残余之该金属层。15.如专利申请专利范围第14项之轮廓控制方法,其中,该穿透步骤提供一第一源功率以及一第一偏压功率,且该第一源功率以及该第一偏压功率之比系约为1/3。16.如专利申请专利范围第14项之轮廓控制方法,其中,该主蚀刻步骤提供一第二源功率以及一第二偏压功率,且该第二源功率与该第二偏压功率之比约为10/3。17.如专利申请专利范围第14项之轮廓控制方法,其中,该穿透步骤与该主蚀刻步骤均另提供氮气,氯气与三氯化硼为反应气体。18.如专利申请专利范围第17项之轮廓控制方法,其中,该穿透步骤所提供之氮气的流量系大于10sccm。19.如专利申请专利范围第17项之轮廓控制方法,其中,该穿透步骤所提供的氯气之气体流量与三氯化硼之气体流量之比约为1:1。20.如专利申请专利范围第17项之轮廓控制方法,其中,该主蚀刻步骤所提供的氯气之气体流量与三氯化硼之气体流量之比约为5:1。21.如专利申请专利范围第14项之轮廓控制方法,其中,该预定深度约为该铝合金层之1/3厚度。图式简单说明:第一图为习知的蚀刻程式所产生之轮廓示意图;第二图为第一图之半导体晶片产生空洞的示意图;第三图为即将运用本发明之半导体晶片;第四图为依据本发明所产生之轮廓示意图;以及第五图为第四图之半导体晶片沉积上一SACVD的示意图。 |
