| 主权项 |
1.一种自我对准金属矽化物的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一矽基底,该矽基底表面形成有一复晶矽闸极与一源极/汲极;(b)形成一钛金属层,以覆盖该复晶矽闸极与该源极/汲极表面;(c)在上述钛金属层表面形成一氮化钛(TiN)层;(d)施行热制程,以在该复晶矽闸极与该源极/汲极表面形成一钛金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中该复晶矽闸极掺有P型离子。3.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中该复晶矽闸极掺有N型离子。4.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中该源极/汲极系由该矽基底表面的N型离子掺杂区域构成。5.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中该源极/汲极系由该矽基底表面的P型离子掺杂区域构成。6.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中步骤(b)系以溅镀法形成该钛金属层。7.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中步骤(c)系以化学气相沈积法形成该氮化钛层。8.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中步骤(d)形成该钛金属矽化物更包括下列步骤:(i)施行第1次快速热制程,使钛与矽反应,而形成一钛金属矽化物,该钛金属矽化物具有第1相;(ii)去除未参予反应的钛金属层;(iii)施行第2次快速热制程,以达到该钛金属矽化物相转移,而成为第2相。9.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中步骤(a)与(b)之间更包括一氧化物清除步骤。10.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中该氧化物清除步骤系利用稀释氢氟酸完成。11.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化物的制造方法,其中步骤(d)之前更包括下列步骤:利用矽离子混合植入方式在该复晶矽闸极与该源极/汲极表面掺入矽。图式简单说明:第一图A-第一图C系习知技术之自我对准金属矽化物的制程剖面图。第二图A-第二图C系根据本发明较佳实施例之自我对准金属矽化物的制程剖面图。 |
