发明名称 有机电场发光显示装置
摘要 本发明提供一种有机电场发光显示装置,系使TFT主动层之源极与有机电场发光元件之阳极接触确实而能获得稳定显示者。本发明系在玻璃基片所成之绝缘性基片10上,形成 TFT40及有机电场发光元件60之有机电场发光装置中,由于TFT40之有源层43之源极43s与有机电场发光元件60之接点,系由源极43s之p-Si、Mo、Al、Mo及阳极61之ITO之积层体所成。因此,源极43s与阳极61之接触确实,而可防止明亮度不均匀及TFT40及有机电场发光元件60之过早劣化者。
申请公布号 TW451598 申请公布日期 2001.08.21
申请号 TW089105103 申请日期 2000.03.21
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 铃木浩司;山田努;小田信彦;山路敏文
分类号 H05B33/02 主分类号 H05B33/02
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种有机电场发光显示装置,系于绝缘性基片上具备有薄膜电晶体及电场发光元件,该薄膜电晶体具有源极及半导体膜;而该电场发光元件系具有连结于前述源极之阳极、有机材料所成之发光层及阴极依序积层而成;其中前述源极与前述阳极系介由该源极侧之导电材料及前述阳极侧之第1高熔点金属所连接为其特征。2.如申请专利范围第1项之有机电场发光显示装置,其中前述源极与前述阳极,系以自该源极侧依第2高熔点金属、导电材料及第1高熔点金属之顺序积层而连接者。3.如申请专利范围第1项或第2项之有机电场发光显示装置,其中,前述第1或第2高熔点金属;为含铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)中之任一种之材料所成,而前述导电材料为含铝(Al)之材料所成者。4.如申请专利范围第3项之有机电场发光显示装置,其中,前述阳极为氧化铟锡或氧化铟锌所成,前述半导体膜为多晶矽膜所成者。图式简单说明:第一图系本发明之EL显示装置之平面图。第二图(a)(b)系本发明之EL显示装置之剖面图。第三图系以往之EL显示装置之平面图。第四图(a)至第四图(b):以往之EL显示装置之剖面图。
地址 日本