| 主权项 |
1.一种多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,适用于一基底上,该基底上依序形成有一闸氧化层、一多晶矽层、一氮化钛层、一矽化钛层,一抗反射层与一图案化光阻层,进行一蚀刻步骤以图案化出一闸极,该闸极系由图案化后之该多晶矽层、该氮化钛层与该矽化钛层所组成,该清洁方法包括下列步骤:使用含氟化合物与氢气作为电浆的反应气体源以进行一第一清洁步骤;使用一胺类化合物溶液以进行一第二清洁步骤;以及使用臭氧之去离子水溶液以进行一第三清洁步骤。2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该第一清洁步骤的反应温度约为80至150℃。3.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该第一清洁步骤的反应室压力约为0.6至0.9torr。4.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该含氟化合物包括四氟化碳。5.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该含氟化合物包括三氟甲烷。6.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该第一清洁步骤更包括使用氮气为携带气体。7.如申请专利范围第6项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该含氟化合物与该氮气的组成比约为0.01至0.03。8.如申请专利范围第6项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该氢气与该氮气的组成比约为0.04。9.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该胺类化合物溶液包括商品ACT935。10.如申请专利范围第1项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该臭氧在该去离子水中的含量约为40至60ppm。11.一种多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,适用于一基底上,该基底上依序形成有一闸氧化层、一多晶矽层、一阻障层、一矽化金属层、一抗反射层与一图案化光阻层,进行一蚀刻步骤以图案化出一闸极,该闸极系由图案化后之该多晶矽层、该阻障层与该矽化金属层所组成,该清洁方法包括下列步骤:使用微量之含氟化合物,以及氢气与钝气作为电浆的反应气体源以进行一第一清洁步骤,该含氟化合物之含量足以引发一自由基连锁反应;使用一胺类化合物溶液以进行一第二清洁步骤;以及使用一氧化剂之去离子水溶液以进行一第三清洁步骤。12.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该电浆的反应温度约为80至150℃。13.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该电浆的反应室压力约为0.6至0.9torr。14.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该钝氧包括氮气。15.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该含氟化合物包括四氟化碳。16.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该含氟化合物包括三氟甲烷。17.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该含氟化合物与该钝气的组成比约为0.01至0.03。18.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该氢气与该钝气的组成比约为0.04。19.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该胺类化合物溶液包括商品ACT935。20.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该氧化剂在该去离子水中的含量约为40至60ppm。21.如申请专利范围第11项所述之多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法,其中该氧化剂包括臭氧。图式简单说明:第一图A系绘示习知之一种多晶矽化金属闸极;第一图B系绘示使用含氟化合物与氧气作为电浆的反应气体,对多晶矽化金属闸极进行乾式清洁方法后,会有氮化矽层与闸氧化层的底切现象;第二图A至第二图C系绘示本发明之一种多晶矽化金属闸极的制程;以及第三图系绘示本发明之一种多晶矽化金属闸极蚀刻后之清洁方法的流程图。 |
